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公开(公告)号：CN119317177A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411408185.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成厚薄栅氧CMOS器件的方法及结构，方法包括提供SOI硅衬底；依次形成双多晶自对准双极结型晶体管的N型一次埋层(103)、薄栅氧NMOS的P型一次埋层(104)、厚栅氧NMOS的P型二次埋层(105)；在SOI硅衬底上形成外延层(106)；在外延层中形成薄栅氧NMOS的P型一次阱区(107)以及厚栅氧NMOS的P型二次阱区(108)等步骤。本发明中的半导体器件可实现高性能NPN/PNP与厚薄栅氧CMOS器件的各种组合，有效提升工艺整体器件特性，以满足更广泛及更高需求的应用技术领域，提升芯片电学性能。
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公开(公告)号：CN114093936B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202111145870.4
申请日：2021-09-28
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119317178A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411408192.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构，方法包括依次形成双多晶自对准双极结型晶体管的N型一次埋层(103)、NMOS的P型一次埋层(104)、PMOS的N型二次埋层(105)；在SOI硅衬底上形成外延层(106)；在外延层(106)中形成NMOS的P型阱区(107)以及PMOS的N型阱区(108)；形成双多晶自对准双极结型晶体管和NMOS/PMOS的全介质岛隔离等步骤。本发明的半导体器件可实现高性能NPN/PNP与CMOS器件的各种组合，有效提升工艺整体器件特性，以满足更广泛及更高需求的应用技术领域，提升芯片电学性能。
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公开(公告)号：CN118315385A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410477721.5
申请日：2024-04-19
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L27/082 , H01L29/06 , H01L21/8222
Abstract: 本发明公开一种高中低压兼容的双极结型晶体管及其制造方法，双极结型晶体管包括P型衬底、N型一次埋层、P型一次穿透隔离、N型一次外延层、N型二次埋层、P型二次穿透隔离、N型一次穿透、N型二次外延层、N型三次埋层、P型三次穿透隔离、N型二次穿透、N型三次外延层、P型四次穿透隔离、N型三次穿透、P型一次体区、N型一次重掺区、P型二次体区、N型二次重掺区、P型三次体区、N型三次重掺区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射极金属、集电极金属和基极金属；方法包括提供P型衬底，生长氧化层等步骤。本发明可以将高中低的耐压以及不同特征频率等特性的双极结型晶体管集成整合到同一套工艺中，实现器件库的多样性。
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公开(公告)号：CN115799343A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211223421.1
申请日：2022-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
Abstract: 本发明提供了一种结型场效应器件及其制造方法，在所述结型场效应器件中，沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区，即栅区结构为双层结构，在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成了第二层多晶硅栅区，相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触，对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂，改善了栅极接触区域的导电性能，能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流降低，器件的阈值电压同样也得以降低，有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性；基于结构的规范设计，对应工艺可以采用全多晶自对准工艺，流程简单，且可以与多晶硅集成电路工艺高度兼容。
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公开(公告)号：CN114093936A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111145870.4
申请日：2021-09-28
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点。
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公开(公告)号：CN119312549A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411367528.2
申请日：2024-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G06F30/20 , G06F30/28 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种双极器件低剂量率辐照损伤预测方法，包括：依据双极器件结构和工艺参数建立双极器件结构模型并实测电学参数进行校准；建立缺陷物理模型，并通过实验获得缺陷物理模型参数与累积剂量间的映射关系；耦合缺陷物理模型和双极器件结构模型，建立电离辐射损伤模型，并结合实验数据进行校准，形成双极器件低剂量率辐照损伤预测模型；基于双极器件低剂量率辐照损伤预测模型进行不同累积剂量下电学参数仿真，实现器件辐照损伤预测。本发明中，采用辐照实验和数值仿真相结合的方法，基于仿真工具建立双极器件结构模型和双极器件低剂量率辐照损伤预测模型，实现宽工作电压范围内器件关键电学特性退化行为的快速、定量预估。
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