公开(公告)号：CN117973051A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410163884.6

申请日：2024-02-05

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  姚然 ,  陈璇 ,  李学海 ,  向学位 ,  段泽宇 ,  陈昕睿 ,  陈思宇

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/10 ,  G06F30/28 ,  G06F111/10 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14 ,  G06F113/08

Abstract: 本发明涉及一种电驱控制一体化系统级热仿真方法、存储介质及计算机，属于电子设备领域。该方法包括以下步骤：计算IGBT模块的损耗和FWD单元开关损耗；计算薄膜电容器的损耗；分析IGBT模块热阻并计算结温；建立电容模块热模型；建立驱动板和控制板热模型；进行系统级热仿真计算。本发明计算出电驱控制一体化系统发热器件，即IGBT模块、电路板上电子元器件和电容器的损耗。建立IGBT器件热阻等效模型，引用传热学与流体力学基本理论公式，得到IGBT用水冷散热器的热阻计算方法，并由此热阻值直接计算IGBT模块结温。

公开(公告)号：CN117973135A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410163886.5

申请日：2024-02-05

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  姚然 ,  王雨奇 ,  赖伟 ,  李学海 ,  向学位 ,  段泽宇 ,  陈璇

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/27 ,  G06F17/10 ,  G06F17/11 ,  G06F119/08 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明涉及一种基于数字孪生的SiC MOSFET器件热分布实时监测方法，属于功率半导体器件领域，包括以下步骤：S1：对SiC MOSFET器件进行有限元建模，将多物理场有限元模型的边界条件作为训练数据，所述边界条件为功率损耗；S2：构建数字孪生体，利用所述训练数据进行训练；S3：通过电流传感器和电压传感器采集SiC MOSFET器件的电流和电压数据，输入数字接口计算功率损耗；S4：数字接口将计算的功率损耗输入数字孪生体，计算焊料层的温度分布。