公开(公告)号：CN113795937B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202180002427.3

申请日：2021-07-28

Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司

Inventor： 彭文林 ,  刘峻 ,  杨海波 ,  刘广宇 ,  匡睿

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/10

Abstract: 在某些方面，一种存储器器件包括多条位线、多条字线和多个存储器单元。多个存储器单元中的每一个存储器单元设置在多条位线中的相应一条位线与多条字线中的相应一条字线的交叉点处。多个存储器单元中的每一个存储器单元包括堆叠的相变存储器(PCM)元件和选择器。PCM元件包括顶表面和底表面。顶表面的面积小于底表面的面积。

公开(公告)号：CN116828972A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310863863.0

申请日：2023-07-13

Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司

Inventor： 周凌珺 ,  杨红心 ,  匡睿 ,  刘峻

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/10

Abstract: 本申请实施例公开一种相变存储器、制作方法及存储器系统。其中，相变存储器包括第一导电线、第二导电线及第一导电线和第二导电线之间的第一相变存储单元；第一导电线和第二导电线平行于同一平面且相互垂直；第一相变存储单元与第一导电线和第二导电线均垂直并且第一相变存储单元包括：依次层叠的第一电极层、第一选通层、第二电极层、第一相变存储层、第三电极层；第一相变存储单元还包括以下至少之一：层叠在第一电极层前的第一漏电势垒层、层叠在第二电极层与第一相变存储层之间的第二漏电势垒层及层叠在第三电极层后的第三漏电势垒层；第一漏电势垒层、第二漏电势垒层及第三漏电势垒层用于降低第一选通层被开启时形成的瞬态涌入电流。

公开(公告)号：CN113517396A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110413561.4

申请日：2021-04-16

Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司

Inventor： 刘广宇 ,  刘峻 ,  杨海波 ,  彭文林 ,  匡睿 ,  付志成

IPC: H01L45/00

Abstract: 本申请实施例公开了一种相变存储器及其制造方法，所述相变存储器包括：由下至上依次层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和第二导电线均垂直；所述相变存储单元包括层叠设置的选通层和相变存储层；所述相变存储层包括多层相变材料层和位于所述相变材料层之间的导热材料层。

公开(公告)号：CN113795937A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202180002427.3

申请日：2021-07-28

Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司

Inventor： 彭文林 ,  刘峻 ,  杨海波 ,  刘广宇 ,  匡睿

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 在某些方面，一种存储器器件包括多条位线、多条字线和多个存储器单元。多个存储器单元中的每一个存储器单元设置在多条位线中的相应一条位线与多条字线中的相应一条字线的交叉点处。多个存储器单元中的每一个存储器单元包括堆叠的相变存储器(PCM)元件和选择器。PCM元件包括顶表面和底表面。顶表面的面积小于底表面的面积。