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公开(公告)号：CN114824074B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202210558687.5
申请日：2022-05-20
Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种相变材料、相变存储器、及制备方法。所述相变材料应用于相变存储器；所述相变材料包括：第一元素和第二元素；其中，所述相变材料应用于制造相变存储器的过程中所述第一元素的损耗大于所述第二元素；所述相变材料中的第一元素的组分大于预设组分；其中，所述第一元素大于所述预设组分的部分用于补充损耗的所述第一元素。
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公开(公告)号：CN115132778B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202210798628.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司
IPC: H10B63/10
Abstract: 本公开实施例提供一种相变存储器，包括：相变存储阵列，包括分别沿第一方向和第二方向并列排布的多个相变存储单元，第一方向与第二方向相交；预设位置，位于相变存储阵列沿第一方向的第一边缘与相变存储阵列沿第二方向的第二边缘的交汇处；多条沿第一方向延伸的字线和多条沿第二方向延伸的位线；多个字线接触单元，与多条字线电连接，沿第二方向，相对远离预设位置的字线接触单元的尺寸，大于相对接近预设位置的字线接触单元的尺寸；和/或，多个位线接触单元，与多条位线电连接，沿第一方向，相对远离预设位置的位线接触单元的尺寸，大于相对接近预设位置的位线接触单元的尺寸。
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公开(公告)号：CN114823778A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210317157.1
申请日：2022-03-28
Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件及形成方法，其中，半导体器件包括：沿第一方向延伸的位线驱动和沿第二方向延伸的字线驱动；第一方向与第二方向互相垂直；多条位线，位于字线驱动两侧，且与字线驱动平行；其中，多条位线在第一方向上间隔排布，且在第一方向上，靠近字线驱动的位线的尺寸参数小于远离字线驱动的位线的尺寸参数；多条字线，位于位线驱动两侧，且与位线驱动平行；其中，多条字线在第二方向上间隔排布，且在第二方向上，靠近位线驱动的字线的尺寸参数小于远离位线驱动的字线的尺寸参数；多个存储单元叠层，分别位于所述字线与相应的所述位线的交叉处，分别与所述字线和相应的所述位线连接。
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公开(公告)号：CN115000121A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210638962.4
申请日：2022-06-07
Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 本申请提供一种相变存储器及其制备方法，所述方法包括：形成选通层以及与所述选通层串联的相变存储层；所述选通层包括第一子层和第二子层；其中，所述第一子层的元素选自第一类元素集中至少一种选通层元素，所述第二子层的元素选自第二类元素集中至少一种选通层元素；所述第一类元素集中各个选通层元素的迁移率小于所述第二类元素集中各个选通层元素的迁移率。本申请提供的方法中，形成包括第一子层和第二子层的选通层，使得第一子层中各个元素的迁移率小于第二子层中各个元素的迁移率，利用第一子层和第二子层之间的界面效应，缓解由于材料扩散引发的局部分相甚至结晶，以提高选通层的高温稳定性，从而提高相变存储器的高温稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116828972A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310863863.0
申请日：2023-07-13
Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司
Abstract: 本申请实施例公开一种相变存储器、制作方法及存储器系统。其中，相变存储器包括第一导电线、第二导电线及第一导电线和第二导电线之间的第一相变存储单元；第一导电线和第二导电线平行于同一平面且相互垂直；第一相变存储单元与第一导电线和第二导电线均垂直并且第一相变存储单元包括：依次层叠的第一电极层、第一选通层、第二电极层、第一相变存储层、第三电极层；第一相变存储单元还包括以下至少之一：层叠在第一电极层前的第一漏电势垒层、层叠在第二电极层与第一相变存储层之间的第二漏电势垒层及层叠在第三电极层后的第三漏电势垒层；第一漏电势垒层、第二漏电势垒层及第三漏电势垒层用于降低第一选通层被开启时形成的瞬态涌入电流。
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公开(公告)号：CN115132778A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210798628.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 本公开实施例提供一种相变存储器，包括：相变存储阵列，包括分别沿第一方向和第二方向并列排布的多个相变存储单元，第一方向与第二方向相交；预设位置，位于相变存储阵列沿第一方向的第一边缘与相变存储阵列沿第二方向的第二边缘的交汇处；多条沿第一方向延伸的字线和多条沿第二方向延伸的位线；多个字线接触单元，与多条字线电连接，沿第二方向，相对远离预设位置的字线接触单元的尺寸，大于相对接近预设位置的字线接触单元的尺寸；和/或，多个位线接触单元，与多条位线电连接，沿第一方向，相对远离预设位置的位线接触单元的尺寸，大于相对接近预设位置的位线接触单元的尺寸。
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公开(公告)号：CN114843305A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210590403.0
申请日：2022-05-26
Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器包括：沿第一方向依次堆叠设置的第一导电线、相变存储单元和第二导电线，所述第一导电线沿第二方向延伸，所述第二导电线沿第三方向延伸，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直；所述相变存储单元包括相变存储层，所述相变存储层的组成材质包括A‑Ga‑Sb‑Te材料，其中，A的含量为a mol％，且0＜a≤20，Ga的含量为b mol％，且0＜b≤50，Sb的含量为c mol％，且20≤c≤90，Te的含量为(100‑a‑b‑c)mol％；所述A元素用于调控所述相变存储单元的循环能力。
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公开(公告)号：CN114678467A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210303251.1
申请日：2022-03-24
Applicant: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器包括：相变存储单元，包括：由下至上依次层叠设置的第一电极层、相变存储层和第二电极层；所述相变存储单元还包括：导电的缓冲层，位于所述第一电极层和所述相变存储层之间，和/或，位于所述相变存储层和所述第二电极层之间，用于缓冲所述相变存储层在晶态和非晶态转变过程中产生的应力。
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