公开(公告)号：CN103459672A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280011860.4

申请日：2012-03-05

Applicant: 长濑化成株式会社

Inventor： 向喜广 ,  安江秀国 ,  吉崎了 ,  西岛佳孝

IPC: C23F1/18

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/067

Abstract: 本发明目的在于提供一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法，该蚀刻液可以对铜配线横截面赋予良好的顺锥形状，而且侧蚀量少、容易形成精细图案的线路，并几乎不会对透明导电膜产生损伤，蚀刻速率稳定且易于对蚀刻废液进行再利用和回收。本发明是一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法，用于对至少具有1层铜膜和铜合金膜的金属膜的所述铜膜和铜合金膜进行蚀刻，该蚀刻液含有：二价铜离子和三家铁离子的至少1种；至少1种的卤离子；甘氨酸、2－氨基丙酸、3－氨基丙酸、氨基异丁酸、苏氨酸、二甲基甘氨酸、鸟氨酸、赖氨酸、组氨酸和丝氨酸中的至少1种氨基酸；苹果酸、柠檬酸和丙二酸中的至少1种羧酸和/或至少1种无机酸；和水。

公开(公告)号：CN104246017A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380014226.0

申请日：2013-02-28

Applicant: 长濑化成株式会社

Inventor： 吉崎了 ,  武井瑞树 ,  安江秀国

IPC: C23G1/10 ,  C23F1/00 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027

CPC classification number: C23C22/52 ,  G03F7/16 ,  H05K3/06 ,  H05K2203/0392 ,  H05K2203/0789

Abstract: 本发明涉及一种抗蚀剂密合性提高剂，其含有有机酸1.5重量％～20重量％、氯离子0.0007重量％～0.73重量％、铵离子0.00003重量％～3.7重量％和其余部分的水，且氯离子相对于铵离子的摩尔浓度比在0.1～10的范围；以及涉及一种铜配线制造方法，其中，在铜膜上形成感光性抗蚀膜时，利用该抗蚀剂密合性提高剂对铜膜表面进行处理，然后在铜膜上形成感光性抗蚀膜。由此，感光性抗蚀剂与铜膜表面的密合性变好。

公开(公告)号：CN107446582A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710388257.2

申请日：2017-05-27

Applicant: 长濑化成株式会社

Inventor： 吉崎了 ,  向喜广

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

CPC classification number: C09K13/00 ,  C08K5/092 ,  C08K5/42 ,  C09K13/06 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，并且残渣除去性和消泡性也优异，适用于氧化铟系膜的蚀刻。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)聚乙烯吡咯烷酮以及(C)水，被用于氧化铟系膜的蚀刻。

公开(公告)号：CN108695154B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201810269618.6

申请日：2018-03-29

Applicant: 长濑化成株式会社

Inventor： 吉崎了

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本发明的目的在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液即使水分蒸发，也能够抑制草酸析出，不仅有机膜和SiN的残渣除去性优异，而且玻璃的残渣除去性也优异，适合用于氧化铟系膜的蚀刻。另外，本发明的目的还在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，进一步本发明的目的还在于提供一种维持高蚀刻速率的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)具有2个以上的羟基的伯胺和/或多元醇以及(C)水，该蚀刻液被用于氧化铟系膜的蚀刻。

公开(公告)号：CN108695154A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810269618.6

申请日：2018-03-29

Applicant: 长濑化成株式会社

Inventor： 吉崎了

IPC: H01L21/3213

CPC classification number: C09K13/06 ,  C09K13/00 ,  H01L21/32134 ,  H01L31/1888

Abstract: 本发明的目的在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液即使水分蒸发，也能够抑制草酸析出，不仅有机膜和SiN的残渣除去性优异，而且玻璃的残渣除去性也优异，适合用于氧化铟系膜的蚀刻。另外，本发明的目的还在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，进一步本发明的目的还在于提供一种维持高蚀刻速率的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)具有2个以上的羟基的伯胺和/或多元醇以及(C)水，该蚀刻液被用于氧化铟系膜的蚀刻。