蚀刻液
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103459672A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201280011860.4

    申请日:2012-03-05

    CPC classification number: C23F1/18 H05K3/067

    Abstract: 本发明目的在于提供一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法,该蚀刻液可以对铜配线横截面赋予良好的顺锥形状,而且侧蚀量少、容易形成精细图案的线路,并几乎不会对透明导电膜产生损伤,蚀刻速率稳定且易于对蚀刻废液进行再利用和回收。本发明是一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法,用于对至少具有1层铜膜和铜合金膜的金属膜的所述铜膜和铜合金膜进行蚀刻,该蚀刻液含有:二价铜离子和三家铁离子的至少1种;至少1种的卤离子;甘氨酸、2-氨基丙酸、3-氨基丙酸、氨基异丁酸、苏氨酸、二甲基甘氨酸、鸟氨酸、赖氨酸、组氨酸和丝氨酸中的至少1种氨基酸;苹果酸、柠檬酸和丙二酸中的至少1种羧酸和/或至少1种无机酸;和水。

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