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公开(公告)号:CN104246017A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201380014226.0
申请日:2013-02-28
Applicant: 长濑化成株式会社
IPC: C23G1/10 , C23F1/00 , G03F7/09 , H01L21/027
CPC classification number: C23C22/52 , G03F7/16 , H05K3/06 , H05K2203/0392 , H05K2203/0789
Abstract: 本发明涉及一种抗蚀剂密合性提高剂,其含有有机酸1.5重量%~20重量%、氯离子0.0007重量%~0.73重量%、铵离子0.00003重量%~3.7重量%和其余部分的水,且氯离子相对于铵离子的摩尔浓度比在0.1~10的范围;以及涉及一种铜配线制造方法,其中,在铜膜上形成感光性抗蚀膜时,利用该抗蚀剂密合性提高剂对铜膜表面进行处理,然后在铜膜上形成感光性抗蚀膜。由此,感光性抗蚀剂与铜膜表面的密合性变好。
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公开(公告)号:CN101144987A
公开(公告)日:2008-03-19
申请号:CN200710154296.2
申请日:2007-09-17
Applicant: NEC液晶技术株式会社 , 长濑化成株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/3105 , H01L21/3213
Abstract: 提供一种用于至少去除在衬底上形成的有机膜图案的表面上形成的阻止层的化学溶液,阻止层由所述有机膜图案表面变质而形成的变质层和在所述有机膜图案表面上沉积沉积物而形成的沉积层中的至少一种构成。化学溶液由含有第一组分和第二组分的水溶液组成,所述第一组分由羟胺衍生物和肼衍生物中的至少一种组成,所述第二组分具有显影功能。
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公开(公告)号:CN103459672A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201280011860.4
申请日:2012-03-05
Applicant: 长濑化成株式会社
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明目的在于提供一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法,该蚀刻液可以对铜配线横截面赋予良好的顺锥形状,而且侧蚀量少、容易形成精细图案的线路,并几乎不会对透明导电膜产生损伤,蚀刻速率稳定且易于对蚀刻废液进行再利用和回收。本发明是一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法,用于对至少具有1层铜膜和铜合金膜的金属膜的所述铜膜和铜合金膜进行蚀刻,该蚀刻液含有:二价铜离子和三家铁离子的至少1种;至少1种的卤离子;甘氨酸、2-氨基丙酸、3-氨基丙酸、氨基异丁酸、苏氨酸、二甲基甘氨酸、鸟氨酸、赖氨酸、组氨酸和丝氨酸中的至少1种氨基酸;苹果酸、柠檬酸和丙二酸中的至少1种羧酸和/或至少1种无机酸;和水。
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公开(公告)号:CN1875326A
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN200480032334.1
申请日:2004-10-28
Applicant: 长濑化成株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304
CPC classification number: C11D7/3263 , C11D11/0047 , G03F7/425 , H01L21/31133
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂剥离用组合物,该组合物包含具有羟基的有机伯胺或有机仲胺与碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、1,3-二羟基-2-丙酮、或一元或二元羧酸的反应产物,该组合物根据需要还可包含有机胺、水溶性有机溶剂和/或水。该组合物能够高性能地剥离光致抗蚀剂并可防止金属配线材料的腐蚀。通过使用该组合物,在剥离之后以水冲洗的过程中不会产生诸如不溶物析出并粘附至基板等问题。
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