公开(公告)号：CN113994593A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080042049.7

申请日：2020-04-15

Applicant: 阿库斯蒂斯有限公司

Inventor： 金大浩 ,  玛丽·温特斯 ,  毕志强

IPC: H03H9/13 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17

Abstract: 一种谐振器电路器件。该器件可以包括压电层，所述压电层具有在空间上被配置在压电层的相反侧的正面电极和背面电极。每个电极具有连接区域和谐振器区域。每个电极还包括被配置在其连接区域附近的部分质量负载结构。正面电极和背面电极在空间上以非对称的方式配置，其中，两个电极的谐振器区域至少部分地重叠并且第一连接区域和第二连接区域位于相反侧。该配置提供对称的声阻抗分布以提高Q因子，并且能够减少与传统的单一质量负载外缘配置相关联的未对准或不平衡边界条件的问题。

公开(公告)号：CN115280525A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180007983.X

申请日：2021-01-19

Applicant: 阿库斯蒂斯有限公司

Inventor： 杰弗里·B·谢利 ,  玛丽·温特斯 ,  克雷格·莫伊

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/319 ,  H01L41/18 ,  H01L41/316

Abstract: 一种RF集成电路器件，可以包括衬底和在衬底上的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，该HEMT器件包括ScAlN层，该ScAlN层被配置为提供HEMT器件的缓冲层以限定HEMT器件的2DEG沟道区的形成。RF压电谐振器器件可在包括夹在RF压电谐振器器件的顶部电极与底部电极之间的ScAlN层的衬底上，以为RF压电谐振器器件提供压电谐振器。

公开(公告)号：CN114286873A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202080057618.5

申请日：2020-08-10

Applicant: 阿库斯蒂斯有限公司

Inventor： 克雷格·莫 ,  杰弗里·B·谢利 ,  玛丽·温特斯 ,  金大何 ,  阿布海·萨兰斯瓦鲁普·科赫哈尔

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/34 ,  H01L41/08 ,  H03H9/58 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

Abstract: 一种形成压电薄膜的方法，包括：溅射衬底的第一表面以在衬底上提供包括AlN、AlScN、AlCrN、HfMgAlN或ZrMgAlN的压电薄膜；加工衬底的第二表面以从衬底的第二表面下方提供压电薄膜的暴露表面，衬底的第二表面与衬底的第一表面相对，其中，压电薄膜的暴露表面包括第一结晶质量部分，去除压电薄膜的暴露表面的部分以访问由第一结晶质量部分覆盖的第二结晶质量部分，其中，第二结晶质量部分具有比第一结晶质量部分更高的质量，以及加工第二结晶质量部分以在第二结晶质量部分上提供声谐振器器件。