公开(公告)号：CN115280525A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180007983.X

申请日：2021-01-19

Applicant: 阿库斯蒂斯有限公司

Inventor： 杰弗里·B·谢利 ,  玛丽·温特斯 ,  克雷格·莫伊

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/319 ,  H01L41/18 ,  H01L41/316

Abstract: 一种RF集成电路器件，可以包括衬底和在衬底上的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，该HEMT器件包括ScAlN层，该ScAlN层被配置为提供HEMT器件的缓冲层以限定HEMT器件的2DEG沟道区的形成。RF压电谐振器器件可在包括夹在RF压电谐振器器件的顶部电极与底部电极之间的ScAlN层的衬底上，以为RF压电谐振器器件提供压电谐振器。

公开(公告)号：CN115216745A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210761175.9

申请日：2022-06-30

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 孟德超 ,  孙翔宇 ,  陈余 ,  徐驰 ,  周泉丰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/28 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了一种基于次序物理沉积的压电厚膜制备方法及工业级压电厚膜，包括确定需制备的压电厚膜的厚度；将压电厚膜拆分为厚膜主体和顶电极，并确定厚膜主体的厚度和顶电极的厚度；采用磁控溅射沉积法在基底上制备厚膜主体；厚膜主体制备完成后，以厚膜主体为基片，在厚膜主体上采用脉冲激光沉积法制备顶电极；获得所需的压电厚膜；本发明通过将需制备的压电厚膜拆分为厚膜主体和顶电极，并通过磁控溅射沉积法制备厚膜主体，通过脉冲激光沉积法制备顶电极，利用低成本磁控沉积法制备压电厚膜主体，然后利用高真空脉冲激光沉积法制备顶电极，实现压电薄膜大厚度、大尺寸和高性能的兼容。

公开(公告)号：CN115078531A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202110277343.2

申请日：2021-03-15

Applicant: 北京信泰智合科技发展有限公司

Inventor： 张博南 ,  黄永巍 ,  吴迪 ,  毕超 ,  崔宗文

IPC: G01N29/04 ,  G01N29/24 ,  H01L41/113 ,  H01L41/257 ,  H01L41/316 ,  B61K9/10

Abstract: 本发明涉及一种高频压电换能振元、高频超声探头和制备方法，用于钢轨缺陷监测，属于测量技术领域。高频压电换能振元包括第一电极层、柔性压电换能层、第二电极层和导电环氧焊料混合剂层；所述第一电极层连接所述柔性压电换能层的正面，且连接有正极引线；所述第二电极层的上表面连接所述柔性压电换能层的背面，且连接有负极引线；所述第二电极层的下表面连接有所述导电环氧焊料混合剂层。本发明的高频压电换能振元用于高频超声探头,该高频超声探头能够对钢轨的轨头缺陷进行实时在线的自动化精确检测。

公开(公告)号：CN114497348A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111682886.9

申请日：2021-12-31

Applicant: 深圳市汇芯通信技术有限公司

Inventor： 樊永辉 ,  许明伟 ,  樊晓兵

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/316 ,  H01L41/39 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明公开一种压电材料及其制作方法、声表面波谐振器及电子器件，所述压电材料包括自下向上叠设的硅基衬底以及氮化铝薄膜。本发明提供的压电材料，将氮化铝薄膜作为压电层，以供声表面波在其表面产生并传播，氮化铝薄膜具有声速高、热稳定性好、导热系数高等优点，因而器件频率高、温度漂移小；此外，以硅基为衬底，制作氮化铝薄膜作为压电材料，有利于器件的大规模生产，且能够与CMOS工艺集成，有助于降低制造成本、提升器件集成度和性能。

公开(公告)号：CN111952436B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202010836348.X

申请日：2020-08-19

Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 ,  全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 王磊磊 ,  何强 ,  韩钰 ,  姚德贵 ,  王珂 ,  张嵩阳 ,  王广周 ,  耿进锋 ,  汲胜昌 ,  肖伟民 ,  王东晖

IPC: H01L41/316 ,  H01L41/332 ,  H01L41/113

Abstract: 本发明涉及一种无源压电自供能单元结构的制备工艺，包括：在硅基片的正面、背面分别沉积氧化硅层、氮化硅层；对所述硅基片背面的氮化硅层和氧化硅层进行蚀刻，形成阵列图案；湿法腐蚀硅基片，在所述硅基片的背面形成阵列式的矩形空腔；在硅基片正面的所述氮化硅层上溅射下电极层；在所述下电极层上溅射压电薄膜，并为所述压电薄膜开设缝隙；在所述压电薄膜上溅射上电极层；采用深反应离子刻蚀，去除所述矩形空腔内的硅基底，释放压电薄膜。

公开(公告)号：CN113950751A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080042855.4

申请日：2020-04-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 梅田贤一 ,  藤井隆满 ,  奥野幸洋

IPC: H01L41/319 ,  C01G35/00 ,  C01G55/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/316 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明得到一种可低成本制作的、具备包含含有Pb的单相的钙钛矿型氧化物的压电体层的压电元件。压电元件在基板上依次具备下部电极层、生长控制层、以含有铅的钙钛矿型氧化物为主成分的压电体层、以及上部电极层，生长控制层包含由MdN1‑dOe表示的金属氧化物。在此，M由可置换钙钛矿型氧化物的A位的一种以上的金属元素构成，0＜d＜1，将电负性设为X时，1.41X‑1.05≤d≤A1·exp(‑X/t1)+y0，A1＝1.68×1012，t1＝0.0306，y0＝0.59958。

公开(公告)号：CN113491020A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202080016376.5

申请日：2020-02-28

Applicant: 安相贞

Inventor： 安相贞

IPC: H01L41/314 ,  H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/316 ,  H01L41/317 ,  H01L41/047

Abstract: 本公开涉及制造高纯度AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的方法以及利用该方法的高纯度AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜及利用该薄膜的装置(Method of manufacturing AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)piezoelectric thin films with high purity and their apparatus using the thin film)，其中，制造高纯度AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的方法包括：在蓝宝石成膜基板形成牺牲层的步骤；以及在牺牲层上生长AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的步骤，其中，在生长AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的步骤之前，还包括：形成由AlyGa1‑yN(0.5≤y≤1)构成的第一半导体层的步骤。

公开(公告)号：CN111315916A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880070217.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 史派克托里提克有限公司

Inventor： B·维森特

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  H01L37/02 ,  H01L41/316 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明涉及一种微机械结构，该微机械结构包括：基板(1)；粘附层(3)，所述粘附层(3)沉积在所述基板(1)上；第一金属层(4)，所述第一金属层(4)沉积在所述粘附层(3)上；铁电层(5)，所述铁电层(5)沉积在所述第一金属层(4)上且具有锆钛酸铅，并且所述铁电层(5)的铅浓度随着与所述第一金属层(4)的距离的增大而以阶梯式降低，以使得所述铁电层(5)具有多个再生层(13)，各再生层(13)中的铅浓度分别是均匀的；以及第二金属层，所述第二金属层沉积在所述铁电层(5)上。

公开(公告)号：CN106463608B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580034198.8

申请日：2015-06-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 广濑光隆 ,  小林宏树 ,  逸见充则 ,  塚越和也 ,  露木达郎 ,  木村勋 ,  邹弘纲

IPC: H01L41/319 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L41/047 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316

CPC classification number: H01L41/0477 ,  C23C14/08 ,  C23C14/088 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3464 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

Abstract: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。

公开(公告)号：CN105229810B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201480026406.5

申请日：2014-05-22

Applicant: 株式会社电装 ,  独立行政法人 ,  产业技术综合研究所

Inventor： 勅使河原明彦 ,  加纳一彦 ,  秋山守人 ,  西久保桂子

IPC: H01L41/316 ,  C23C14/06 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/18 ,  C23C14/0052 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/18 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/46 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316

Abstract: 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。