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公开(公告)号：CN105589299A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510742670.5
申请日：2015-11-05
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: G03F7/16
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , G03F7/16
Abstract: 在优选方面，提供用于形成浮雕图像的方法，其包括：a)提供包含在待图案化的层上的经图案化掩模的半导体衬底；b)在所述掩模上涂覆第一组合物的层，其中所述组合物包括聚合物且将所述层涂布于所述掩模的侧壁上；c)按邻近所述掩模的所述经涂布侧壁的量在所述半导体衬底上涂覆第二组合物的层；和d)从所述掩模的所述侧壁去除所述第一组合物，由此暴露待图案化的所述层且在所述掩模侧壁与所述第二组合物层之间形成间隙以提供浮雕图像。所述方法在半导体装置制造中发现有特定适用性。
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公开(公告)号：CN105278240A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510359073.4
申请日：2015-06-25
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 本文所揭示的是一种物品，其包含衬底；在所述衬底上安置有一种组合物，所述组合物包含：第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段的表面能比所述第二嵌段高；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段与所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似，并且所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段与所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段在化学上相同或类似；其中以总固体计，所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段的重量百分比大于所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段的重量百分比；其中所述第一嵌段共聚物和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04；其中所述第一嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形或片层状结构域的第一形态；其中所述第二嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形、片层状或球形结构域的第二形态；并且其中所述第一形态和所述第二形态不同；以及第一聚合物，所述第一聚合物与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105319841B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201510368660.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 本文中公开了一种组合物，包含第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；以及第一聚合物，所述第一聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似；以及第二聚合物，所述第二聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中所述第一和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04。
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公开(公告)号：CN105278240B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201510359073.4
申请日：2015-06-25
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 本文所揭示的是一种物品，其包含衬底；在所述衬底上安置有一种组合物，所述组合物包含：第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段共聚物和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04；其中所述第一嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形或片层状结构域的第一形态；其中所述第二嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形、片层状或球形结构域的第二形态；并且其中所述第一形态和所述第二形态不同；以及第一聚合物，所述第一聚合物与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似。
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公开(公告)号：CN105319841A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510368660.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 本文中公开了一种组合物，包含第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段的表面能高于所述第二嵌段；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上与所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似并且所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段在化学上与所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中以所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段的总固体计的重量百分比大于所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段的总固体的重量百分比；其中所述第一嵌段共聚物在单独安置在衬底上时相分离成圆柱形或片层状结构域的第一形态；其中所述第二嵌段共聚物在单独安置在衬底上时相分离成圆柱形、片层状或球状结构域的第二形态；并且其中所述第一形态和所述第二形态是不同的；以及第一聚合物，所述第一聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似；以及第二聚合物所述第二聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中所述第一和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04。
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公开(公告)号：CN105280832B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510280512.2
申请日：2015-05-27
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 伊利诺斯州立大学托管会
IPC: H01L51/52
Abstract: 在一个方面中，提供结构，其包含：具有第一表面和第二表面的衬底；和安置在所述衬底的所述第一表面上的聚合层，所述聚合层包含聚合物和多个发光纳米晶体；所述聚合层具有图案化表面，所述图案化表面具有第一多个凹部的图案化第一区和具有第二多个凹部的图案化第二区，其中各区域中的所述多个凹部具有在第一方向上的第一周期性和在与所述第一方向相交的第二方向上的第二周期性，其中所述第一区的所述第一周期性不同于所述第二区的所述第一周期性。
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公开(公告)号：CN105280832A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510280512.2
申请日：2015-05-27
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 伊利诺斯州立大学托管会
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L33/50 , G02B6/00 , H01L27/322 , H01L31/0203 , H01L31/02327 , H01L31/054 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L2251/5369 , Y02E10/52 , H01L51/5262
Abstract: 在一个方面中，提供结构，其包含：具有第一表面和第二表面的衬底；和安置在所述衬底的所述第一表面上的聚合层，所述聚合层包含聚合物和多个发光纳米晶体；所述聚合层具有图案化表面，所述图案化表面具有第一多个凹部的图案化第一区和具有第二多个凹部的图案化第二区，其中各区域中的所述多个凹部具有在第一方向上的第一周期性和在与所述第一方向相交的第二方向上的第二周期性，其中所述第一区的所述第一周期性不同于所述第二区的所述第一周期性。
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