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公开(公告)号：CN101769772A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910266226.5
申请日：2009-12-22
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Inventor： C·S·贝克 , L·F·里克斯 , J·W·斯佩尔德里奇
CPC classification number: G01F1/6845 , G01F1/692 , G01F15/14
Abstract: 本发明涉及具有带传导性互连件的密封件的热风速仪流量传感器装置，具体而言，提供了一种流量传感器装置和方法。本发明提供了一种带有传导性互连件的密封件，该密封件包括安装在外壳上的质量流量传感元件，质量流量传感元件包含厚膜和/或薄膜桥接结构，用于感测流量管中的介质(例如质量流)。这种密封件有效地将丝焊焊盘及电气连接与所感测的介质隔离开。无论是液体或气体的介质都可能包含离子，其最终会污染质量流量传感元件的顶部。带有传导性互连件的密封件的使用因而密封住电气连接，并防止了暴露于所感测的介质。
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公开(公告)号：CN101657709A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880011827.5
申请日：2008-04-11
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
IPC: G01L9/00
Abstract: 一种压力传感器设备和成形所述压力传感器设备的方法。提供一种包括顶侧和底侧的基板201(例如印刷电路板)。压力换能器(243)可被直接结合到基板(201)的顶侧上，其中所述基板包括形成电镀通孔(553)的基板壁，所述通孔允许被感测到的介质通过从而与压力换能器(243)的背面接触。此后，带有一体端口(551)的金属支座(504)被结合到基板(201)的底侧上，由此形成采用板上芯片封装工艺的压力传感器(500)，这样就消除了进行电镀或涂覆从而允许压力换能器(243)与金属支座(504)之间粘附的需求。压力换能器例如可包括硅或者结合到玻璃上的硅。金属支座可设有与阀门例如施克拉德阀紧密配合的功能部件。
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公开(公告)号：CN101490514A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027117.7
申请日：2007-05-14
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: G01F25/0007 , G01F15/022
Abstract: 一种传感器，其包括耦合到信号调节集成电路的一个或多个传感换能器，其中信号调节集成电路包括信号调节电路和用于存储终端用户可下载系数的存储器。在优选实施例中，该集成电路是专用集成电路，该终端用户可下载系数由终端用户基于需要而预先选定，当校准传感器时将这些系数预先存储到专用集成电路中。从而获得一种相对于现有技术为成本低、体积小且功能改善的传感器装置。
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公开(公告)号：CN101427118A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014707.6
申请日：2007-04-23
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: G01L19/0007 , G01L19/003
Abstract: 一种压力传感器端口装置和方法，包括压力端口，压力端口包含六边形区域，六边形区域优选包括塑料材料(例如热塑性塑料)。另外，一个或者多个电子连接件与压力传感器端口相连接，因此电子连接件与被感测介质隔离，基于节约成本的注射模制工艺而不是用于金属的机械加工工艺来提供压力传感器端口装置。
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公开(公告)号：CN101410702A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010840.4
申请日：2007-01-26
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Inventor： L·F·里克斯
CPC classification number: G01L9/0055 , G01L19/0084
Abstract: 本发明提供一种用于构造压力传感器的方法和装置。可提供均质金属件。将压力端口和加工膜片集成到该均质金属件上，其中加工膜片连接到该压力端口上。可利用先进厚膜(ATF)技术来构造该加工膜片，从而提供一种基于压力端口和加工膜片及其相关的压力传感器构件的用于高压传感应用的高压压力传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102976261B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201210384423.9
申请日：2012-09-05
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: G01F1/6845 , G01F1/692 , G01F1/698 , G01F15/02
Abstract: 一种MEMS气流传感器管芯，具有在MEMS管芯上与气流传感器相集成的加热器控制电路、差动仪表放大器、温度补偿、和/或偏移校正电路。可利用MEMS制造技术来在基本气流管芯上的可用空间上放置附加的电路，而不用增大该传感器管芯。具有附加的电路的管芯可导致具有减小的形状因数、改进的可靠性和更低的成本的器件。
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公开(公告)号：CN101216331B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200710149425.9
申请日：2007-05-16
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Inventor： C·S·贝克 , L·F·里克斯 , J·W·斯佩尔德里奇
CPC classification number: G01F5/00 , G01F1/684 , G01F1/72 , G01F15/185 , Y10T29/4913 , Y10T29/49169
Abstract: 用于测量包括双向流在内的多种被测对象的封装方法和系统包括：以对称形式布置在流管中的采样端口。关于流管的X和Y中心线对称布置端口。此外，这些端口相对于限流器也对称布置，以便将流管中湍流的量最小化。
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公开(公告)号：CN101300461B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200680041115.9
申请日：2006-09-05
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
IPC: G01D3/036
CPC classification number: G01D3/032 , G01D3/0365 , G01D5/145
Abstract: 本发明公开了一种方法和系统，其中通过预测磁阻阵列内特定磁阻感测器或组件的中心线到中心线距离之间的以及此类阵列与感测的磁体之间的、由热膨胀引起的温度上的物理变化，从而减小磁阻位置变换器中热膨胀引起的误差。
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公开(公告)号：CN101915590B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201010261230.5
申请日：2006-09-12
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Abstract: 本发明涉及利用磁传感器阵列的位置检测。一种磁阻传感器系统，包括：被排列成旋转阵列的多个磁阻感测部件，其中所述多个感测部件之中的至少一些磁阻感测部件彼此被以不规则的方式有角度地隔开，以便优化所述旋转阵列的性能并且满足其特定磁阻感测应用的要求。
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公开(公告)号：CN102645249A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210087916.6
申请日：2012-01-31
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
IPC: G01F15/00
CPC classification number: G01F1/68 , G01F1/6842 , G01F1/6845 , G01F5/00 , G01F15/185
Abstract: 本发明涉及具有集成旁路通道的流量传感器组件，具体公开了具有提高的流量范围能力的流量传感器组件(38)。在一个示例性实施例中，流量传感器组件(38)包括外壳(40)，其具有入口流端口(88)、出口流端口(90)、在入口流端口和出口流端口之间延伸的流体通道(12)、以及旁路通道(62)，旁路通道具有在分开的位置流体地连接到流体通道的一对龙头(64)。流量传感器(10)可以定位在旁路通道中，用于感测关于流过流体通道的流体的流率的测量值。旁路通道的两个龙头之间的压力差驱动流过流体通道的流体的一部分通过旁路通道。流量传感器组件可以构造成实现、控制和/或平衡通过旁路通道和经过流量传感器的流体流的期望部分。
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