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公开(公告)号：CN103548153B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280023367.4
申请日：2012-05-30
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: H01L31/0322 , C23C14/0623 , C23C14/3464 , C23C14/5866 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法及利用该方法的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池用CIGS薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu-In-Ga-Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及步骤b，把上述a步骤所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理。凭此，把CIGS前驱体薄膜改成共价结构的硒化物系列化合物而在Se氛围进行热处理时抑制Ga的偏析，让CIGS薄膜内Ga分布均匀化，最后得以提高利用它的太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN104094412A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380000852.4
申请日：2013-01-31
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/032 , H01L21/02
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0326 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜。本发明的铜铟镓硒系薄膜的制作方法，包括：制作铜铟镓硒系纳米颗粒的步骤（a）；含有上述铜铟镓硒系纳米颗粒与熔点为30-400℃范围的助熔剂的浆料的制作步骤（b）；在基板上非真空涂覆上述浆料而形成铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（c）；干燥铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（d）；利用硒蒸汽将上述铜铟镓硒系前驱体薄膜进行硒化热处理的步骤（e）。据此可使用比以前铜铟镓硒系薄膜制作时低的温度进行硒化热处理，从而节减制作费用，并用低温也能够充分完成薄膜内结晶生长。
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公开(公告)号：CN103548153A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280023367.4
申请日：2012-05-30
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: H01L31/0322 , C23C14/0623 , C23C14/3464 , C23C14/5866 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法及利用该方法的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池用CIGS薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu-In-Ga-Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及步骤b，把上述a步骤所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理。凭此，把CIGS前驱体薄膜改成共价结构的硒化物系列化合物而在Se氛围进行热处理时抑制Ga的偏析，让CIGS薄膜内Ga分布均匀化，最后得以提高利用它的太阳能电池的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104221166A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380000966.9
申请日：2013-03-06
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及CIGS系薄膜太阳能电池的制造方法及由此制造的太阳能电池，更具体的说，本发明涉及在形成CIGS系前驱体薄膜之前，在形成有钼电极的无Na基板表面的一部分形成Na供应源薄膜，由此可以提高太阳能电池光吸收层CIGS系薄膜电性能的CIGS系薄膜太阳能电池的制造方法及由此制造的太阳能电池。根据本发明，使用无Na基板以防止基板内存在的Na成分的任意扩散，通过单独的Na供应源向太阳能电池的光吸收层CIGS薄膜内提供Na成分，具有提高太阳能电池效率的效果。
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公开(公告)号：CN104094412B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201380000852.4
申请日：2013-01-31
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/032 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜。本发明的铜铟镓硒系薄膜的制作方法，包括：制作铜铟镓硒系纳米颗粒的步骤（a）；含有上述铜铟镓硒系纳米颗粒与熔点为30‑400℃范围的助熔剂的浆料的制作步骤（b）；在基板上非真空涂覆上述浆料而形成铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（c）；干燥铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（d）；利用硒蒸汽将上述铜铟镓硒系前驱体薄膜进行硒化热处理的步骤（e）。据此可使用比以前铜铟镓硒系薄膜制作时低的温度进行硒化热处理，从而节减制作费用，并用低温也能够充分完成薄膜内结晶生长。
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公开(公告)号：CN104254925B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280015113.8
申请日：2012-08-14
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01G9/204 , H01G9/2059 , H01G9/209 , H01L31/02366 , H01L31/1888 , H01L51/42 , H01L51/4233 , H01L51/447 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种以湿式蚀刻方法在氧化锌薄膜上形成纳米单位的凹凸结构的方法，其特征在于，包括：准备基板的步骤；形成具有纳米范围的高度与宽度的纳米结构的步骤；在形成有所述纳米结构的基板上形成氧化锌薄膜的步骤；以及对所述氧化锌薄膜进行湿式蚀刻的步骤；在所述进行湿式蚀刻的步骤中，位于所述纳米结构上、物理致密性相对较低的氧化锌先被蚀刻，在所述纳米结构的周边，借助于蚀刻而形成凹凸结构。本发明具有不仅能够在凹凸结构上均一地形成薄膜，而且电解质或有机物能够在凹凸结构之间均一地浸透的效果。另外，本发明不仅能够调节凹凸结构的纵横比，而且凹凸结构整体上连接，因而不发生因过度的纵横比差异造成阻抗增加的问题。
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公开(公告)号：CN104254925A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201280015113.8
申请日：2012-08-14
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01G9/204 , H01G9/2059 , H01G9/209 , H01L31/02366 , H01L31/1888 , H01L51/42 , H01L51/4233 , H01L51/447 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种以湿式蚀刻方法在氧化锌薄膜上形成纳米单位的凹凸结构的方法，其特征在于，包括：准备基板的步骤；形成具有纳米范围的高度与宽度的纳米结构的步骤；在形成有所述纳米结构的基板上形成氧化锌薄膜的步骤；以及对所述氧化锌薄膜进行湿式蚀刻的步骤；在所述进行湿式蚀刻的步骤中，位于所述纳米结构上、物理致密性相对较低的氧化锌先被蚀刻，在所述纳米结构的周边，借助于蚀刻而形成凹凸结构。本发明具有不仅能够在凹凸结构上均一地形成薄膜，而且电解质或有机物能够在凹凸结构之间均一地浸透的效果。另外，本发明不仅能够调节凹凸结构的纵横比，而且凹凸结构整体上连接，因而不发生因过度的纵横比差异造成阻抗增加的问题。
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公开(公告)号：CN103503156A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280015087.9
申请日：2012-08-14
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02327 , H01L31/1888 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种电特性与陷光能力都优异的透明导电膜及其制造方法，本发明双重结构透明导电性膜是一种作为太阳能电池的正面防反射膜或正面电极或背面反射膜使用的透明导电膜，包括：透光层；陷光层，一面接触透光层，另一面形成有表面绒面结构；透光层的导电率A与陷光层的导电率a的关系为A>a，透光层的蚀刻性B与陷光层的蚀刻性b的关系为B
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