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公开(公告)号：CN101421386B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200680046497.4
申请日：2006-10-12
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: C11D7/50
CPC classification number: C11D3/26 , C09D9/04 , C11D3/30 , C11D3/3773 , C11D3/43 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种用于从其上具有光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的微电子器件上去除所述材料的液体去除组合物和方法。所述液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。在制造集成电路时，所述组合物实现至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，同时对微电子器件上的金属材料如铜和钴的蚀刻最小化，且不会损害微电子器件结构中所用的低k介电材料。
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公开(公告)号：CN101421386A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200680046497.4
申请日：2006-10-12
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: C11D7/50
CPC classification number: C11D3/26 , C09D9/04 , C11D3/30 , C11D3/3773 , C11D3/43 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种用于从其上具有光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的微电子器件上去除所述材料的液体去除组合物和方法。所述液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。在制造集成电路时，所述组合物实现至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，同时对微电子器件上的金属材料如铜和钴的蚀刻最小化，且不会损害微电子器件结构中所用的低k介电材料。
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公开(公告)号：CN102981377B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210452842.1
申请日：2006-06-07
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/34 , C11D7/50 , G03F7/423
Abstract: 本发明公开了金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物。所述清洗及去除组合物包括至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂。所述组合物在集成电路的制造中实现了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如铝、铜和钴合金的金属物质的蚀刻最少，并且不破坏在半导体结构中所使用的低-k介电材料。
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公开(公告)号：CN101496146A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200680045618.3
申请日：2006-10-04
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/28052 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明公开了从其上具有栅极隔片氧化物材料的微电子器件上至少部分去除所述材料的栅极隔片氧化物材料去除组合物和方法。所述无水去除组合物包括至少一种有机溶剂、至少一种螯合剂、碱氟化物:酸氟化物组分、和任选至少一种钝化剂。相对于多晶硅和氮化硅，所述组合物从微电子器件表面上的栅电极周围选择性除去栅极隔片氧化物材料，同时对栅电极结构中所使用的金属硅化物互连材料具有最小的蚀刻。
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公开(公告)号：CN1739064A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380109011.3
申请日：2003-12-17
Applicant: 高级技术材料公司
Abstract: 本发明公开了用于半导体加工的组合物和方法。在一实施方案中，提供了去除光刻胶用的湿法清洗组合物。该组合物包含强碱；氧化剂和极性溶剂。在另一实施方案中，提供了去除光刻胶的方法。该方法包括如下步骤：涂覆包含约0.1－约30wt％强碱；约1－约30wt％氧化剂；约20－约95wt％极性溶剂的湿法清洗组合物；并去除光刻胶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102981377A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210452842.1
申请日：2006-06-07
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/34 , C11D7/50 , G03F7/423
Abstract: 本发明公开了金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物。所述清洗及去除组合物包括至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂。所述组合物在集成电路的制造中实现了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如铝、铜和钴合金的金属物质的蚀刻最少，并且不破坏在半导体结构中所使用的低-k介电材料。
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公开(公告)号：CN101233456B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200680028153.0
申请日：2006-06-07
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/34 , C11D7/50 , G03F7/423
Abstract: 本发明公开了用于从其上具有牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的基板上去除所述牺牲性抗反射涂层材料的液体去除组合物及方法。所述液体去除组合物包括至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂。所述组合物在集成电路的制造中实现了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如铝、铜和钴合金的金属物质的蚀刻最少，并且不破坏在半导体结构中所使用的低-k介电材料。
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公开(公告)号：CN101137939A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007314.8
申请日：2006-01-09
Applicant: 高级技术材料公司
Abstract: 公开了一种水基组合物和将硬化的光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层(BARC)材料从其所在的微电子装置上去除的方法。该水基组合物包含至少一种离液序列高的溶质、至少一种碱性碱和去离子水。采用该组合物在集成电路的制造中实现了硬化的光致抗蚀剂和/或BARC材料的高效去除，而不会不利地影响基片上的金属物质、例如铜，也不会破坏在微电子装置结构中使用的低k介电材料。
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公开(公告)号：CN101137939B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN200680007314.8
申请日：2006-01-09
Applicant: 高级技术材料公司
Abstract: 公开了一种水基组合物和将硬化的光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层(BARC)材料从其所在的微电子装置上去除的方法。该水基组合物包含至少一种离液序列高的溶质、至少一种碱性碱和去离子水。采用该组合物在集成电路的制造中实现了硬化的光致抗蚀剂和/或BARC材料的高效去除，而不会不利地影响基片上的金属物质、例如铜，也不会破坏在微电子装置结构中使用的低k介电材料。
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