-
公开(公告)号：CN100346887C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200380102120.2
申请日：2003-10-29
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 迈克尔·B·克赞斯基 , 埃利奥多·G·根丘 , 许从应 , 托马斯·H·包姆
CPC classification number: C11D11/0047 , B08B7/0021 , C11D7/02 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5022 , H01L21/02063 , H01L21/31116
Abstract: 一种用于从半导体基片上的微小区域去除微粒污染物的清洗组合物。该组合物含有超临界二氧化碳(SCCO2)、醇、氟源和任选的羟基添加剂。此种清洗组合物克服了SCCO2作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质以微粒污染物形式存在于晶片基片上并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去。该清洗组合物能实现Si/SiO2基片上带有微粒污染物的基片的无损伤、无残留物清洗。
-
公开(公告)号：CN101473382A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023028.5
申请日：2007-03-12
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 杰弗里·F·罗德 , 托马斯·H·包姆 , 布莱恩·C·亨德里克斯 , 格雷格里·T·斯托弗 , 许从应 , 威廉·亨克斯 , 陈天牛 , 马蒂亚斯·斯滕德
IPC: G11C11/00
CPC classification number: H01L51/0002 , C07F7/30 , C23C16/305 , C23C16/45553
Abstract: 本发明揭露一种用于在一基材上形成相变化记忆体材料之系统及方法，其中将基材与相变化记忆体硫属化合物合金(chalcogenide alloy)之前驱物于一可产生硫属化合物合金沉积于基材上的条件下接触，其中此条件包含低于350℃的温度，且此接触步骤藉由化学气相沉积或原子层沉积来进行。本发明亦描述多种可用于在基材上形成GST(锗－锑－碲；Ge－Sb－Te)相变化记忆体膜的碲、锗及锗－碲前驱物。
-
公开(公告)号：CN101215493A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710154706.3
申请日：2003-10-29
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 迈克尔·B·克赞斯基 , 埃利奥多·G·根丘 , 许从应 , 托马斯·H·包姆
CPC classification number: C11D11/0047 , B08B7/0021 , C11D7/02 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5022 , H01L21/02063 , H01L21/31116
Abstract: 本发明涉及采用超临界二氧化碳/化学制剂去除图案化硅/二氧化硅上的粒子污染物。该制剂含有超临界二氧化碳(SCCO2)、醇、氟源和任选的羟基添加剂。此种制剂克服了SCCO2作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质以微粒污染物形式存在于晶片基片上并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去。该制剂能实现Si/SiO2基片上带有微粒污染物的基片的无损伤、无残留物清洗。
-
公开(公告)号：CN1708364A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102120.2
申请日：2003-10-29
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 迈克尔·B·克赞斯基 , 埃利奥多·G·根丘 , 许从应 , 托马斯·H·包姆
CPC classification number: C11D11/0047 , B08B7/0021 , C11D7/02 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5022 , H01L21/02063 , H01L21/31116
Abstract: 一种用于从半导体基片上的微小区域去除微粒污染物的清洗组合物。该组合物含有超临界二氧化碳(SCCO2)、醇、氟源和任选的羟基添加剂。此种清洗组合物克服了SCCO2作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质以微粒污染物形式存在于晶片基片上并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去。该清洗组合物能实现Si/SiO2基片上带有微粒污染物的基片的无损伤、无残留物清洗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101421386B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200680046497.4
申请日：2006-10-12
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: C11D7/50
CPC classification number: C11D3/26 , C09D9/04 , C11D3/30 , C11D3/3773 , C11D3/43 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种用于从其上具有光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的微电子器件上去除所述材料的液体去除组合物和方法。所述液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。在制造集成电路时，所述组合物实现至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，同时对微电子器件上的金属材料如铜和钴的蚀刻最小化，且不会损害微电子器件结构中所用的低k介电材料。
-
公开(公告)号：CN101421386A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200680046497.4
申请日：2006-10-12
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: C11D7/50
CPC classification number: C11D3/26 , C09D9/04 , C11D3/30 , C11D3/3773 , C11D3/43 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种用于从其上具有光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的微电子器件上去除所述材料的液体去除组合物和方法。所述液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。在制造集成电路时，所述组合物实现至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，同时对微电子器件上的金属材料如铜和钴的蚀刻最小化，且不会损害微电子器件结构中所用的低k介电材料。
-
公开(公告)号：CN101124676A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200480024332.8
申请日：2004-07-28
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 许从应 , 托马斯·H·包姆 , 米凯尔·B·科岑斯基
IPC: H01L23/58
CPC classification number: C23C18/122 , C23C18/00 , C23C18/08 , C23C18/1204 , C23C18/1208 , C23C18/1212 , C23C18/1216 , C23C18/1275 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/288 , H01L21/3121 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L21/76841 , H01L21/76877 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及材料在基片上的超临界流体辅助沉积，所述基片例如用于制造集成电路装置的半导体基片。采用超临界流体基组合物而实现上述沉积，所述组合物含有待沉积于基片表面上的材料的前体。该方法允许使用对气相沉积方法因缺乏必需的挥发性和传送性而完全不适用于沉积应用的前体。
-
公开(公告)号：CN100379837C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200380102230.9
申请日：2003-10-27
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 迈克尔·B·克赞斯基 , 埃利奥多·G·根丘 , 许从应 , 托马斯·H·包姆
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/32 , C11D7/3245 , C11D7/50 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , C23G5/00 , H01L21/02052 , H01L21/31133 , H01L21/32138
Abstract: 一种用于从半导体基片上的微小区域去除灰化或未灰化铝/SiN/Si蚀刻后残留物的蚀刻后残留物清洗组合物。该组合物含有超临界二氧化碳(SCCO2)、醇、氟源、铝离子络合剂和任选的阻蚀剂。此种清洗组合物克服了SCCO2作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质存在于蚀刻后残留物中并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去。本清洗组合物能实现其上具有灰化或未灰化铝/SiN/Si蚀刻后残留物的基片的无损伤、无残留物清洗。
-
公开(公告)号：CN1708362A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102242.1
申请日：2003-10-27
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 迈克尔·B·克赞斯基 , 埃利奥多·G·根丘 , 许从应 , 托马斯·H·包姆
CPC classification number: G03F7/423 , C11D7/02 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5022
Abstract: 从半导体基片上去除光致抗蚀剂和离子注入光致抗蚀剂所用的光致抗蚀剂清洗组合物。在去除非离子注入光致抗蚀剂时，该清洗组合物含有超临界CO2(SCCO2)和醇。当已对光致抗蚀剂进行离子注入时，该清洗组合物还含有氟离子源。该清洗组合物克服了SCCO2作清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性并因此不能溶解光致抗蚀剂中存在的而且必须从半导体基片上有效清洗掉的如无机盐和极性有机溶剂的物质。该清洗组合物能够对带有光致抗蚀剂或离子注入光致抗蚀剂的基片进行无损伤、无残留的清洗。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.027 seconds)
