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公开(公告)号：CN100343361C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN02807236.7
申请日：2002-03-27
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 威廉·A·沃伊特恰克 , 法蒂玛·Ma·塞约 , 戴维·伯恩哈德 , 朗·源
Abstract: 半导体晶片清洗剂，含有1-21重量%氟化物源，20-55重量%有机胺，0.5-40重量%含氮成分如含氮羧酸或亚胺，23-50重量%水，以及0-21重量%金属螯合剂。该清洗剂用于从抗蚀剂的等离子体灰化步骤后的晶片上除去残余物，例如从含有精细的铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。
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公开(公告)号：CN101134930B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710147183.X
申请日：2002-03-27
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 威廉·A·沃伊特恰克 , 戴维·伯恩哈德 , 法蒂玛·Ma·塞约 , 朗·源
CPC classification number: H01L21/02071 , C09K13/08 , C11D7/265 , C11D7/266 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02074 , H01L21/31138
Abstract: 半导体晶片清洗剂，含有1-21重量％氟化物源，20-55重量％有机胺，0.5-40重量％含氮成分如含氮羧酸或亚胺，23-50重量％水，以及0-21重量％金属螯合剂。该清洗剂用于从抗蚀剂的等离子体灰化步骤后的晶片上除去残余物，例如从含有精细的铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。
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公开(公告)号：CN101134930A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710147183.X
申请日：2002-03-27
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 威廉·A·沃伊特恰克 , 戴维·伯恩哈德 , 法蒂玛·Ma·塞约 , 朗·源
CPC classification number: H01L21/02071 , C09K13/08 , C11D7/265 , C11D7/266 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02074 , H01L21/31138
Abstract: 半导体晶片清洗剂，含有1－21重量％氟化物源，20－55重量％有机胺，0.5－40重量％含氮成分如含氮羧酸或亚胺，23－50重量％水，以及0－21重量％金属螯合剂。该清洗剂用于从抗蚀剂的等离子体灰化步骤后的晶片上除去残余物，例如从含有精细的铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。
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公开(公告)号：CN1500130A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN02807236.7
申请日：2002-03-27
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 威廉·A·沃伊特恰克 , 法蒂玛·Ma·塞约 , 戴维·伯恩哈德 , 朗·源
CPC classification number: H01L21/02071 , C09K13/08 , C11D7/265 , C11D7/266 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02074 , H01L21/31138
Abstract: 半导体晶片清洗剂，含有1－21重量％氟化物源，20－55重量％有机胺，0.5－40重量％含氮成分如含氮羧酸或亚胺，23－50重量％水，以及0－21重量％金属螯合剂。该清洗剂用于从抗蚀剂的等离子体灰化步骤后的晶片上除去残余物，例如从含有精细的铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。
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