公开(公告)号：CN102421947B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201080021254.1

申请日：2010-03-09

Applicant: 1366科技公司

Inventor： E·M·萨赫斯 ,  R·L·华莱士 ,  E·T·汉特苏 ,  A·M·罗伦斯 ,  G·D·S·赫德尔森 ,  R·荣茨克

IPC: C30B15/00 ,  C03B19/02

CPC classification number: B29C33/44 ,  C30B11/007 ,  C30B15/30 ,  C30B19/068 ,  C30B28/04 ,  C30B29/06

Abstract: 将压差施加到模具板两侧，并且在模具板上形成半导体(例如硅)晶圆。压差的松弛允许晶圆的释放。模具板可以比熔化物冷。热量几乎仅穿过形成的晶圆的厚度提取。液体和固体界面基本平行于模具板。固化体的温度横跨其宽度是基本统一的，导致低应力和低位错密度以及较高的结晶质量。模具板必须允许气体流动通过。熔化物能够通过以下方式引入到模具板：与熔化物的顶部全区域接触；以水平或竖直的方式或介于其间的方式来回在熔化物与模具板的部分区域接触来回移动；以及通过将模具板沾入到熔化物中。能够通过多种方式来控制晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN102421947A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080021254.1

申请日：2010-03-09

Applicant: 1366科技公司

Inventor： E·M·萨赫斯 ,  R·L·华莱士 ,  E·T·汉特苏 ,  A·M·罗伦斯 ,  G·D·S·赫德尔森 ,  R·荣茨克

IPC: C30B15/00 ,  C03B19/02

CPC classification number: B29C33/44 ,  C30B11/007 ,  C30B15/30 ,  C30B19/068 ,  C30B28/04 ,  C30B29/06

Abstract: 将压差施加到模具板两侧，并且在模具板上形成半导体(例如硅)晶圆。压差的松弛允许晶圆的释放。模具板可以比熔化物冷。热量几乎仅穿过形成的晶圆的厚度提取。液体和固体界面基本平行于模具板。固化体的温度横跨其宽度是基本统一的，导致低应力和低位错密度以及较高的结晶质量。模具板必须允许气体流动通过。熔化物能够通过以下方式引入到模具板：与熔化物的顶部全区域接触；以水平或竖直的方式或介于其间的方式来回在熔化物与模具板的部分区域接触来回移动；以及通过将模具板沾入到熔化物中。能够通过多种方式来控制晶粒尺寸。