公开(公告)号：CN110431485A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201880017997.8

申请日：2018-02-15

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： J·A·克鲁格基斯特 ,  V·Y·巴宁 ,  J·F·M·贝克斯 ,  M·贾姆布纳坦 ,  M·A·纳萨勒维克 ,  A·尼基佩洛维 ,  R·J·W·斯塔斯 ,  D·F·弗勒斯 ,  W·J·J·韦尔特斯 ,  S·赖克

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  G01J1/42

Abstract: 一种传感器标记，包括衬底(200)，该衬底具有：第一深紫外(DUV)吸收层(310，320，330)，包括基本上吸收DUV辐射的第一材料；第一保护层(600)，包括第二材料；其中：第一DUV吸收层中具有第一通孔(500)；第一保护层在平面图中位于第一通孔(500)中，并且第一通孔中的第一保护层具有包括多个通孔(700)的图案化区域；并且第二材料比第一材料更优质。

公开(公告)号：CN107710076A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680034671.7

申请日：2016-04-18

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： J·J·M·巴塞曼斯 ,  P·B·A·德巴克 ,  N·范鲁瑟 ,  G·艾姆波内特 ,  R·J·W·斯塔斯 ,  C·考尔 ,  J·R·唐斯

IPC: G03F7/20 ,  G01M11/02

Abstract: 一种方法，包括：照射包括多个图案化区(15a-15c)的图案形成装置(MA')，各图案化区使测量射束(17a-17c)图案化；用投影系统(PL)将测量射束投影到包括多个检测器区(25a-25c)的传感器设备(21)上；当图案形成装置和传感器设备被定位处于第一相对配置时进行辐射的第一测量；使图案形成装置和传感器设备中的至少一个移动以便将图案形成装置的相对配置改变为第二相对配置；当图案形成装置和传感器设备被定位处于第二相对配置时进行辐射的第二测量，在第二相对配置中多个检测器区中的至少一些接收与在第一相对配置中在相应检测器区处接收到的测量射束不同的测量射束；和确定由投影系统引起的像差。

公开(公告)号：CN110431485B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201880017997.8

申请日：2018-02-15

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： J·A·克鲁格基斯特 ,  V·Y·巴宁 ,  J·F·M·贝克斯 ,  M·贾姆布纳坦 ,  M·A·纳萨勒维克 ,  A·尼基佩洛维 ,  R·J·W·斯塔斯 ,  D·F·弗勒斯 ,  W·J·J·韦尔特斯 ,  S·赖克

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  G01J1/42

Abstract: 一种传感器标记，包括衬底(200)，该衬底具有：第一深紫外(DUV)吸收层(310，320，330)，包括基本上吸收DUV辐射的第一材料；第一保护层(600)，包括第二材料；其中：第一DUV吸收层中具有第一通孔(500)；第一保护层在平面图中位于第一通孔(500)中，并且第一通孔中的第一保护层具有包括多个通孔(700)的图案化区域；并且第二材料比第一材料更优质。

公开(公告)号：CN107710076B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201680034671.7

申请日：2016-04-18

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： J·J·M·巴塞曼斯 ,  P·B·A·德巴克 ,  N·范鲁瑟 ,  G·艾姆波内特 ,  R·J·W·斯塔斯 ,  C·考尔 ,  J·R·唐斯

IPC: G03F7/20 ,  G01M11/02

Abstract: 一种方法，包括：照射包括多个图案化区(15a‑15c)的图案形成装置(MA')，各图案化区使测量射束(17a‑17c)图案化；用投影系统(PL)将测量射束投影到包括多个检测器区(25a‑25c)的传感器设备(21)上；当图案形成装置和传感器设备被定位处于第一相对配置时进行辐射的第一测量；使图案形成装置和传感器设备中的至少一个移动以便将图案形成装置的相对配置改变为第二相对配置；当图案形成装置和传感器设备被定位处于第二相对配置时进行辐射的第二测量，在第二相对配置中多个检测器区中的至少一些接收与在第一相对配置中在相应检测器区处接收到的测量射束不同的测量射束；和确定由投影系统引起的像差。