公开(公告)号：CN102967998A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210311034.3

申请日：2012-08-28

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·G·J·玛蒂吉森 ,  A·J·登博夫

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G01B9/02007 ,  G01B9/02015 ,  G01B11/0675 ,  G03F9/7034

Abstract: 本发明公开了用于光刻设备的水平传感器布置、光刻设备以及器件制造方法。进一步地，本发明公开了一种测量光刻设备中的衬底上的至少一个大体反射性层表面的位置的方法以及相关的水平传感器和光刻设备。所述方法包括使用宽带光源执行至少两次干涉测量。在每一次测量之间，改变宽带源束的构成波长和/或在构成波长上的强度水平，使得在仅强度水平变化的情况下，对于束的构成波长的至少一部分所述强度变化不同。替换地，也可以应用单次测量和测量的随后的用以获得测量数据的处理(其中构成波长和/或在构成波长上的强度水平不同)以获得位置。

公开(公告)号：CN102967998B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210311034.3

申请日：2012-08-28

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·G·J·玛蒂吉森 ,  A·J·登博夫

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G01B9/02007 ,  G01B9/02015 ,  G01B11/0675 ,  G03F9/7034

Abstract: 本发明公开了用于光刻设备的水平传感器布置、光刻设备以及器件制造方法。进一步地，本发明公开了一种测量光刻设备中的衬底上的至少一个大体反射性层表面的位置的方法以及相关的水平传感器和光刻设备。所述方法包括使用宽带光源执行至少两次干涉测量。在每一次测量之间，改变宽带源束的构成波长和/或在构成波长上的强度水平，使得在仅强度水平变化的情况下，对于束的构成波长的至少一部分所述强度变化不同。替换地，也可以应用单次测量和测量的随后的用以获得测量数据的处理(其中构成波长和/或在构成波长上的强度水平不同)以获得位置。