-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114930246A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092236.6
申请日：2020-12-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·W·范德伍德 , V·D·希尔德布兰德 , 因奇·唐梅兹诺扬 , A·J·M·吉斯贝斯 , A·L·克莱因
Abstract: 提供了一种用于光刻设备的表膜隔膜，所述隔膜包括基体，所述基体包括分布在其中的多个包含物。还提供了一种制造所述表膜隔膜的方法、包括所述表膜隔膜的光刻设备、用于光刻设备的包括所述隔膜的表膜组件、以及表膜隔膜在光刻设备或方法中的用途。
-
公开(公告)号：CN118891582A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380031199.1
申请日：2023-02-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 保罗·亚历山大·维梅伦 , V·D·希尔德布兰德 , I·唐梅兹诺扬
Abstract: 用于EUV光刻的表膜包括：芯部层，所述芯部层包括硅且具有至少一个非氧化表面；和盖层，所述盖层位于所述芯部层的至少一个主表面处。所述盖层包括碳和/或硼。可以在曝光操作之前或期间移除所述盖层。
-
公开(公告)号：CN118541640A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280071002.2
申请日：2022-10-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： G·C·德弗里斯 , S·N·L·多纳斯 , 弗朗西斯克斯·约翰内斯·约瑟芬·詹森 , E·库尔干诺娃 , A·J·沃尔夫 , T·J·W·巴克 , V·D·希尔德布兰德 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , M·安格尔 , B·A·J·卢蒂克惠斯 , R·范德含 , J·P·J·范勒比锡格
Abstract: 一种光刻设备，包括：照射系统；支撑结构；衬底台；投影系统以及加热系统。所述照射系统被配置成调节辐射束。所述支撑结构被构造成支撑掩模版和表膜组件，所述掩模版和表膜组件用于接收由所述照射系统调节的所述辐射束。所述衬底台被构造成支撑衬底。所述投影系统被配置成接收来自所述掩模版‑表膜组件的所述辐射束并将所述辐射束投影至所述衬底上。所述加热系统可操作以加热由所述支撑结构支撑的所述掩模版‑表膜组件的表膜。一种用于使用掩模版‑表膜组件的方法，包括：用辐射束照射所述掩模版‑表膜组件，以便在衬底上形成经图案化的图像；和使用单独的热源来加热所述掩模版‑表膜组件的所述表膜。
-
公开(公告)号：CN115885219A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180050603.0
申请日：2021-08-05
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·W·范德伍德 , A·L·克莱因 , Z·S·豪厄林 , I·唐梅兹诺扬 , V·D·希尔德布兰德 , A·J·M·吉斯贝斯 , J·H·克洛特韦克
IPC: G03F7/20
Abstract: 描述一种用于光刻设备中的表膜隔膜，所述表膜隔膜的特征在于其组成物在平面内是变化的。还描述一种制造表膜隔膜的方法，所述方法包括以下步骤：a)在衬底上设置牺牲层：b)在所述牺牲层上设置第一材料层；c)在所述第一材料层上设置抗蚀剂层；d)对所述抗蚀剂层进行图案化；e)蚀刻所述第一材料层以形成经图案化的表面；以及f)i)将第二材料的层沉积于所述经图案化的表面上且随后剥离所述第二材料的沉积于经图案化的抗蚀剂层上的部分，或ii)移除其余的抗蚀剂层、将第二材料的层沉积于所述经图案化的表面上并且随后对所述表面进行平坦化。
-
公开(公告)号：CN115698851A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180037514.2
申请日：2021-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Z·S·豪厄林 , V·D·希尔德布兰德 , A·L·克莱因 , 保罗·亚历山大·维梅伦
Abstract: 描述了一种用于光刻设备的光学元件，所述光学元件包括被选择以支撑顶部层的锚固层，所述顶部层在工作的光刻设备或包含等离子体的环境中具有自终止生长性。还描述了一种制造光学元件的方法，所述方法包括以下步骤：经由曝露于优选地为电磁诱发的等离子体的等离子体而将顶部层沉积于锚固层上。还描述了包括此类光学元件的光刻设备。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.02 seconds)
