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公开(公告)号：CN100533242C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510105060.0
申请日：2005-09-26
Applicant: IDC公司
Inventor： 董明孝 , 菲利浦·D·弗洛伊德 , 布莱恩·W·阿巴克尔
CPC classification number: B81C1/00174 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00182 , B81C2201/0109 , G02B26/001
Abstract: 本发明提供用于制造诸如干涉式调制器的MEMS装置的方法，其包括选择性地移除一材料的牺牲部分以形成一内部空腔，留下所述材料的剩余部分以形成一支柱结构。所述材料可为覆盖层，其经沉积且经选择性地改变以界定相对于所述剩余部分可被选择性地移除的牺牲部分。或者，一材料层可被侧向陷偏离一覆盖层中的开口。这些方法可用于制造未释放和释放干涉式调制器。
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公开(公告)号：CN1950291A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580013914.0
申请日：2005-04-20
Applicant: IDC公司
Inventor： 董明孝 , 布莱恩·詹姆斯·加利 , 马尼什·科塔里 , 克拉伦斯·徐 , 约翰·贝蒂
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00579 , B81B3/0008 , Y10T428/12542
Abstract: 本发明揭示一种制造一微机电装置的方法，其包括在一衬底上形成至少两个导电层。在所述两个导电层之间形成一绝缘层。将所述导电层电耦接于一起并随后移除所述绝缘层以在所述导电层之间形成一间隙。对所述层进行电耦接会减轻或消除在所述移除过程中静电荷积聚对装置的影响。
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公开(公告)号：CN1755474A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510102802.4
申请日：2005-09-12
Applicant: IDC公司
Abstract: 本发明揭示一种带有背光照明的干涉式调制器阵列装置。所述干涉式调制器阵列装置包含复数个干涉式调制器元件，其中每个干涉式调制器元件均包含一光学空腔。所述干涉式调制器阵列包括一光学孔径区域，且至少一个反射元件定位成接收穿过所述光学孔径区域的光并将所接收的光的至少一部分反射至所述干涉式调制器元件的空腔。在某些实施例中，所述干涉式调制器元件可彼此分离以在相邻的干涉式调制器元件之间形成一光学孔径区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1769992A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510105046.0
申请日：2005-09-26
Applicant: IDC公司
CPC classification number: B81C1/00174 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00182 , B81C2201/0109 , G02B26/001
Abstract: 本发明提供用于制造诸如干涉式调制器的MEMS装置的方法，其包括选择性地移除一材料的牺牲部分以形成一内部空腔，留下所述材料的剩余部分以形成一支柱结构。所述材料可为覆盖层，其经沉积且被选择性地改变以界定相对于所述剩余部分可被选择性地移除的牺牲部分。或者，一材料层可被侧向凹陷偏离一覆盖层中的开口。这些方法可用于制造未释放和释放干涉式调制器。
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公开(公告)号：CN1755476A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510103443.4
申请日：2005-09-15
Applicant: IDC公司
Inventor： 董明孝 , 斯里尼瓦斯·塞瑟拉曼
Abstract: 一种干涉式调制器包括一包含一光学元件的支柱结构。在一优选实施例中，在所述支柱结构中的光学元件为一反射元件，例如，镜面。在另一实施例中，所述支柱结构中的光学元件为一标准具，例如，一暗色标准具。所述支柱结构中的光学元件可减少原本将由所述支柱结构回射的光的数量。在各实施例中，所述支柱结构中的光学元件通过将光重新引导入所述干涉腔内来增加所述干涉式调制器的亮度。例如，在一些实施例中，所述支柱结构中的光学元件增加了干涉式调制器的背光照明。
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公开(公告)号：CN101027593A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580032126.6
申请日：2005-09-02
Applicant: IDC公司
CPC classification number: G02B26/001
Abstract: 本揭示案的实施例包括使用剥离处理技术来制造干涉式装置的方法。在制造干涉式调制器的例如光学堆叠或弯曲层等各种层的过程中使用剥离处理，这有利地避免了与多种材料相关联的个别化的化学物质，所述材料与所述干涉式调制器的每一层相关联。另外，使用剥离处理还允许在可用于制造干涉式调制器的材料和设施两者方面具有更大的选择。
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公开(公告)号：CN1769993A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510105060.0
申请日：2005-09-26
Applicant: IDC公司
Inventor： 董明孝 , 菲利浦·D·弗洛伊德 , 布莱恩·W·阿巴克尔
CPC classification number: B81C1/00174 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00182 , B81C2201/0109 , G02B26/001
Abstract: 本发明提供用于制造诸如干涉式调制器的MEMS装置的方法，其包括选择性地移除一材料的牺牲部分以形成一内部空腔，留下所述材料的剩余部分以形成一支柱结构。所述材料可为覆盖层，其经沉积且经选择性地改变以界定相对于所述剩余部分可被选择性地移除的牺牲部分。或者，一材料层可被侧向陷偏离一覆盖层中的开口。这些方法可用于制造未释放和释放干涉式调制器。
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