公开(公告)号：CN119908181A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202380068863.X

申请日：2023-09-26

Applicant: IHP有限责任公司-莱布尼茨高性能微电子研究所/莱布尼茨创新微电子研究所

Inventor： S·利施克 ,  D·施特克勒 ,  F·戈茨

IPC: H10F30/223 ,  H10F77/40 ,  H10F77/122 ,  H10F77/14 ,  H10F71/00 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明涉及一种用于探测电磁辐射的光电探测器。光电探测器包括横向光电二极管和SiN波导。横向光电二极管包括原位p掺杂接触区（112）、原位n掺杂接触区（114）以及沿横向堆叠方向（109）夹在p掺杂接触区和n掺杂接触区之间的本征掺杂光敏区（108）。SiN波导（102）包括SiN并且被配置为沿着传播方向（104）引导电磁辐射，SiN波导沿着垂直于横向堆叠方向（109）的垂直堆叠方向（107）布置在横向光电二极管的顶部。光敏区的至少一部分和SiN波导的至少一部分形成公共上界面（116），在该公共上界面处光敏区与SiN波导直接接触。此外，光敏区（108）沿着横向堆叠方向具有300nm或更小的横向宽度（110）。