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公开(公告)号：CN114411118A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210096370.4
申请日：2015-01-21
Applicant: II-VI有限公司
Inventor： W-Q·许 , 埃尔金·E·伊斯勒 , C·刘 , 查尓斯·D·坦纳 , 查尓斯·J·克莱辛格尔 , 迈克尔·阿格哈亚尼安
Abstract: 多层基板包括在复合层上CVD生长的金刚石层。该复合层包括金刚石和碳化硅与任选的硅的颗粒。该复合层中的金刚石的载荷水平(按体积计)可为≥5％、≥20％、≥40％、或≥60％。该多层基板能够用作光学器件；用于检测辐射粒子或电磁波的检测器；用于切割、钻孔、机械加工、碾磨、研磨、抛光、涂布、粘结、或钎焊的装置；制动装置；密封条；导热体；电磁波导体；在升高的温度下或在低温条件下用于腐蚀性环境、强氧化性环境、或强还原性环境的化学惰性装置；或用于抛光或平坦化其它器件、晶圆或膜的装置。
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公开(公告)号：CN107873063B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201680022293.0
申请日：2016-04-18
Applicant: II-VI有限公司
IPC: C23C16/27 , C23C16/01 , C23C16/56 , C23C16/511 , C23C16/02
Abstract: 在金刚石膜、基材或窗的形成方法中，提供一种硅基材，并且金刚石膜、基材或窗CVD生长在硅该基材的表面。生长的金刚石膜、基材或窗具有≥100的长径比，其中所述长径比是金刚石膜、基材或窗的最大尺寸除以金刚石膜的厚度所得的比值。可任选地从金刚石膜、基材或窗上除去或分离该硅基材。
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公开(公告)号：CN107873063A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201680022293.0
申请日：2016-04-18
Applicant: II-VI有限公司
IPC: C23C16/27 , C23C16/01 , C23C16/56 , C23C16/511 , C23C16/02
Abstract: 在金刚石膜、基材或窗的形成方法中，提供一种硅基材，并且金刚石膜、基材或窗CVD生长在硅该基材的表面。生长的金刚石膜、基材或窗具有≥100的长径比，其中所述长径比是金刚石膜、基材或窗的最大尺寸除以金刚石膜的厚度所得的比值。可任选地从金刚石膜、基材或窗上除去或分离该硅基材。
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公开(公告)号：CN105992835A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201580005770.8
申请日：2015-01-21
Applicant: II-VI有限公司
Inventor： W-Q·许 , 埃尔金·E·伊斯勒 , C·刘 , 查尓斯·D·坦纳 , 查尓斯·J·克莱辛格尔 , 迈克尔·阿格哈亚尼安
CPC classification number: C30B25/02 , C01B32/25 , C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/573 , C04B35/634 , C04B41/009 , C04B41/5002 , C04B41/85 , C04B2235/3826 , C04B2235/427 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C23C16/274 , C23C16/279 , C23C16/463 , C23C16/56 , C23C28/04 , C23C28/046 , Y10T428/21 , Y10T428/24355 , Y10T428/24612 , Y10T428/24893 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , C04B41/4531
Abstract: 多层基板包括在复合层上CVD生长的金刚石层。该复合层包括金刚石和碳化硅与任选的硅的颗粒。该复合层中的金刚石的载荷水平(按体积计)可为≥5％、≥20％、≥40％、或≥60％。该多层基板能够用作光学器件；用于检测辐射粒子或电磁波的检测器；用于切割、钻孔、机械加工、碾磨、研磨、抛光、涂布、粘结、或钎焊的装置；制动装置；密封条；导热体；电磁波导体；在升高的温度下或在低温条件下用于腐蚀性环境、强氧化性环境、或强还原性环境的化学惰性装置；或用于抛光或平坦化其它器件、晶圆或膜的装置。
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