公开(公告)号：CN119173815A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202380039412.3

申请日：2023-07-25

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 根本龙一 ,  三宅正之 ,  三田伦广 ,  宫尾健介 ,  冈崎聪司

IPC: G03F7/004 ,  C07C381/12 ,  C09K3/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

Abstract: 一种感放射线性组合物，含有：具有酸解离性基的聚合物、以及式(1)所表示的化合物。L1为具有(硫)缩醛环的基等。W1为单键或碳数1～40的(b+1)价的有机基。R1、R2及R3相互独立地为氢原子、碳数1～10的烃基、氟原子或氟烷基。Rf为氟原子或氟烷基。a为0～8的整数。b为1～4的整数。d为1或2。于a为2以上的情况下，多个R1相同或不同，多个R2相同或不同。于d为2的情况下，多个W1相同或不同，多个b相同或不同。M+为一价阳离子。#imgabs0#

公开(公告)号：CN102187282A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141606.4

申请日：2009-10-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 矢田勇二 ,  庵野祐亮 ,  柿泽友洋 ,  堀雅史 ,  三田伦广 ,  若松刚史

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂图案涂布剂，其在包括：使用第一放射线敏感性树脂组合物，在基板上形成第一抗蚀剂图案的工序(1)、用抗蚀剂图案涂布剂对上述第一抗蚀剂图案进行处理的工序(2)和使用第二放射线敏感性树脂组合物，在用抗蚀剂图案涂布剂处理过的基板上形成第二抗蚀剂图案的工序(3)的抗蚀剂图案形成方法的工序(2)中使用，含有具有羟基的树脂、和包含30质量％以上的碳原子数3～10的支链烷基醇的溶剂。

公开(公告)号：CN101450837A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810176513.2

申请日：2008-11-07

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 菅原哲德 ,  井上靖健 ,  间嶋宽 ,  三田伦广

IPC: C03B23/203

Abstract: 本发明提供一种能够形成焙烧后的透射率、反射率、表面平滑性以及膜厚均匀性高的FPD面板部件的FPD部件形成用组合物。另外，还提供一种挠性、转印性和操作性均优良、且具有由上述组合物形成的FPD部件形成用组合物层的转印膜。另外，提供一种能够形成透射率和反射率大、表面平滑性以及膜厚均匀性均优良的FPD面板部件的FPD面板部件制造方法。本发明的FPD部件形成用组合物，含有：(A)无机粉体、(B)粘结树脂、(C)含有硅烷基的化合物、以及(D)金属醇盐，且该粘结树脂(B)中含有(B－1)(甲基)丙烯酸类聚合物，所述(B－1)(甲基)丙烯酸类聚合物具有聚氧化烯部，重均分子量为10,000～50,000。

公开(公告)号：CN1276480C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02817271.X

申请日：2002-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  佐野哲哉 ,  关口学 ,  三田伦广

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122

Abstract: 处理有机硅氧烷膜的方法，包含将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板(W)搬入反应容器(1)内的工序。药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合。此外，本方法含有在反应容器(1)内对基板(W)进行热处理而烧结涂布膜的工序。热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。

公开(公告)号：CN1552094A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN02817271.X

申请日：2002-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  佐野哲哉 ,  关口学 ,  三田伦广

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122

Abstract: 处理有机硅氧烷膜的方法，包含将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板(W)搬入反应容器(1)内的工序。药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合。此外，本方法含有在反应容器(1)内对基板(W)进行热处理而烧结涂布膜的工序。热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。