公开(公告)号：CN114630880A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080076095.9

申请日：2020-10-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 山田裕也 ,  王鹏宇 ,  杉江纪彦 ,  亀井康孝

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C01B33/18 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物及化学机械研磨方法，能够高速且平坦地研磨含有钨、钴等导电体金属的半导体基板、且能够减少研磨后的表面缺陷。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)包含下述通式(1)表示的官能基的二氧化硅粒子；以及(B)选自由包含不饱和键的羧酸及其盐所组成的群组中的至少一种。‑COO－M+·····(1)(M+表示一价阳离子)。

公开(公告)号：CN110819236B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201910702192.3

申请日：2019-07-31

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 山田裕也 ,  国谷英一郎 ,  山中达也

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其可高速研磨包含钨及绝缘膜的基板，并且可减低被研磨面中的研磨损伤的产生。本发明的化学机械研磨用水系分散体的一实施方式含有：(A)在表面具有能够形成磺酸盐的基的二氧化硅研磨粒、(B)选自由金属硝酸盐及金属硫酸盐所组成的群组中的至少一种、以及(C)选自由有机酸及其盐所组成的群组中的至少一种，且pH值为1以上且6以下。

公开(公告)号：CN110819236A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910702192.3

申请日：2019-07-31

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 山田裕也 ,  国谷英一郎 ,  山中达也

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其可高速研磨包含钨及绝缘膜的基板，并且可减低被研磨面中的研磨损伤的产生。本发明的化学机械研磨用水系分散体的一实施方式含有：(A)在表面具有能够形成磺酸盐的基的二氧化硅研磨粒、(B)选自由金属硝酸盐及金属硫酸盐所组成的群组中的至少一种、以及(C)选自由有机酸及其盐所组成的群组中的至少一种，且pH值为1以上且6以下。

公开(公告)号：CN115715423A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202180037516.1

申请日：2021-05-25

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 柳孝典 ,  王鹏宇 ,  中西康二 ,  山田裕也 ,  马场淳

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种用于不仅相对于硅氧化物膜而且相对于非晶硅膜或多晶硅膜也选择性地研磨氮化硅膜的研磨粒或化学机械研磨用组合物。本发明的研磨粒的制造方法包括：第一步骤，对混合物进行加热，所述混合物含有氢硫基(‑SH)经由共价键固定于表面的粒子以及具有碳‑碳不饱和双键的化合物；以及第二步骤，在所述第一步骤后，进而添加过氧化物并进行加热。

公开(公告)号：CN114761502A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080082375.0

申请日：2020-11-17

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 西村康平 ,  山田裕也 ,  中村柊平 ,  王鹏宇

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用组合物以及研磨方法，可在高速地研磨含有钨膜或硅氮化物膜的半导体基板的同时，减少研磨后的被研磨面上的表面缺陷的产生。本发明的化学机械研磨用组合物含有(A)含有氧化钛的研磨粒、以及(B)液状介质，其中所述化学机械研磨用组合物中的所述(A)成分的仄他电位的绝对值为8mV以上。

公开(公告)号：CN114667593A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202080078357.5

申请日：2020-10-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 山田裕也 ,  王鹏宇 ,  杉江纪彦 ,  亀井康孝

IPC: H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物及化学机械研磨方法，能够高速且平坦地研磨含有钨、钴等导电体金属的半导体基板、且能够减少研磨后的表面缺陷。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)包含下述通式(1)表示的官能基的二氧化硅粒子；以及(B)硅烷化合物。‑COO‑M+……(1)(M+表示一价阳离子)。

公开(公告)号：CN119343748A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380044924.9

申请日：2023-08-15

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 山田裕也 ,  高圣渊

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明提供一种可高速地研磨含有银作为配线材料的被研磨面、且可获得高反射特性优异的被研磨面的化学机械研磨用组合物及使用其的研磨方法。本发明的化学机械研磨用组合物为含有(A)研磨粒、(B)液状介质、(C)氧化剂、以及(D)含氮杂环化合物的化学机械研磨用组合物，其中所述化学机械研磨用组合物中的所述(A)成分的仄他电位的绝对值为10mV以上，在将所述(C)成分的含量设为Mc(质量％)、将所述(D)成分的含量设为Md(质量％)的情况下，Mc/Md＝10～200。

公开(公告)号：CN118207050A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311259052.6

申请日：2023-09-27

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 赤木壮一郎 ,  姚佳伶 ,  山田裕也 ,  森康介 ,  山中达也

IPC: C11D3/30 ,  C11D3/04 ,  C11D3/37 ,  C11D3/33 ,  C11D3/20 ,  C11D3/60 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种可抑制对作为被处理体的金属布线材料、阻挡金属材料、绝缘材料等的各种基板的损伤，并且从被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用所述组合物的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有：(A)下述通式(1)所表示的化合物；(B)水溶性高分子；(C)具有选自由氨基及其盐所组成的群组中的至少一种结构、及选自由羧基及其盐所组成的群组中的至少一种结构的化合物；以及(D)液状介质，在将所述(A)成分的含量设为MA[质量％]、将所述(C)成分的含量设为MC[质量％]时，MA/MC＝5～200。(所述式(1)中，R各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基)R4N+F‑····(1)。