公开(公告)号：CN1974636A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610160614.1

申请日：2006-11-29

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 仕田裕贵 ,  松井之辉 ,  重田厚 ,  平沢信一 ,  加藤宽和 ,  木下正子 ,  西冈岳 ,  矢野博之

IPC: C08J5/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/7681 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76835

Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。

公开(公告)号：CN1974636B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200610160614.1

申请日：2006-11-29

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 仕田裕贵 ,  松井之辉 ,  重田厚 ,  平沢信一 ,  加藤宽和 ,  木下正子 ,  西冈岳 ,  矢野博之

IPC: C08J5/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/7681 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76835

Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。

公开(公告)号：CN1453823A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03122138.6

申请日：2003-04-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤宽和 ,  大西廉伸 ,  盐原英志 ,  河村大辅 ,  中村裕子

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0279 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0278

Abstract: 一种图案形成方法，包括：在衬底上设置被加工膜；在所述被加工膜上设置抗蚀剂膜；对所述抗蚀剂膜进行构图；覆盖所述构图过的抗蚀剂膜并在所述被加工膜上设置放射线感受性化合物的膜；对所述放射线感受性化合物的膜实施放射线照射和显影处理并使所述抗蚀剂膜的上表面露出，对所述放射线感受性化合物的膜进行构图；以及将所述构图过的放射线感受性化合物的膜作为掩模来除去所述抗蚀剂膜，同时对所述被加工膜进行加工。

公开(公告)号：CN100356511C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200510002154.5

申请日：2005-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤宽和 ,  竹石知之 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02282 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的目的是抑制多层抗蚀剂工艺中的上层抗蚀剂膜的倒塌。其解决方案是，在包含对被处理基板的主面供给含有涂敷型薄膜形成物质和溶剂的液体以形成液状的涂敷膜的工序，以及对上述涂敷膜进行上述溶剂的除去和使上述涂敷型薄膜形成物质发生非可逆的反应用的加热处理以形成固形的薄膜的工序的成膜方法中，使在上述涂敷膜的膜厚变动大致结束了后到开始上述加热处理为止的待机时间与上述涂敷膜表面附近的每单位体积的水分量的积为大于等于规定值。

公开(公告)号：CN1282219C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200410034731.4

申请日：2004-05-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 庄浩太郎 ,  柴田刚 ,  加藤宽和 ,  大西廉伸 ,  河村大辅

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  G03F7/00

Abstract: 在半导体基体之上的被加工层(13)之上，采用使光致抗蚀剂膜图形化的办法形成第1图形化层(14a)。在形成了光致抗蚀剂图形后，借助于附加处理使第1图形化层(14a)变小。其次，在用耐刻蚀性比较大的材料在第1图形化层(14a)之间形成了埋入膜(15)后，在进行了平坦化处理后，除去第1图形化层(14a)。借助于此，使第2图形化层(15a)剩下来。使用该第2图形化层，刻蚀基底的被加工层(13)。然后，以基底的被加工层(13)为掩模，刻蚀例如铝膜(12)。

公开(公告)号：CN100403167C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN03122138.6

申请日：2003-04-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤宽和 ,  大西廉伸 ,  盐原英志 ,  河村大辅 ,  中村裕子

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0279 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0278

Abstract: 一种图案形成方法，包括：在衬底上设置被加工膜；在所述被加工膜上设置抗蚀剂膜；对所述抗蚀剂膜进行构图；覆盖所述构图过的抗蚀剂膜并在所述被加工膜上设置放射线感受性化合物的膜；对所述放射线感受性化合物的膜实施放射线照射和显影处理并使所述抗蚀剂膜的上表面露出，对所述放射线感受性化合物的膜进行构图；以及将所述构图过的放射线感受性化合物的膜作为掩模来除去所述抗蚀剂膜，同时对所述被加工膜进行加工。

公开(公告)号：CN1900820A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610108392.9

申请日：2004-05-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 庄浩太郎 ,  柴田刚 ,  加藤宽和 ,  大西廉伸 ,  河村大辅

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 在半导体基体之上的被加工层13之上，采用使光致抗蚀剂膜图形化的办法形成第1图形化层14a。在形成了光致抗蚀剂图形后，借助于附加处理使第1图形化层14a变小。其次，在用耐刻蚀性比较大的材料在第1图形化层14a之间形成了埋入膜15后，在进行了平坦化处理后，除去第1图形化层14a。借助于此，使第2图形化层15a剩下来。使用该第2图形化层，刻蚀基底的被加工层13。然后，以基底的被加工层13为掩模，刻蚀例如铝膜12。

公开(公告)号：CN1673873A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510056975.7

申请日：2005-03-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤宽和 ,  大西廉伸 ,  河村大辅

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0275

Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，包括：在衬底上形成抗蚀剂膜；将能量线选择照射到所述抗蚀剂膜，以便在所述抗蚀剂膜中形成潜像；将显影液供给所述抗蚀剂膜，以便由形成了所述潜像的抗蚀剂膜形成抗蚀剂图形；将清洗液供给所述衬底，以便将衬底上的显影液置换为清洗液；将涂敷膜用材料供给到衬底，以便将衬底上的清洗液的至少一部分置换为包含有溶剂和与所述抗蚀剂膜不同的溶质的涂敷膜用材料；使所述涂敷膜用材料中的溶剂挥发，以便在衬底上形成覆盖抗蚀剂膜的涂敷膜；使所述涂敷膜的表面的至少一部分后退，以便露出所述抗蚀剂图形上表面的至少一部分并形成由所述涂敷膜构成的掩模图形；以及用所述掩模图形来加工所述衬底。

公开(公告)号：CN1641833A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510002154.5

申请日：2005-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤宽和 ,  竹石知之 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02282 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的目的是抑制多层抗蚀剂工艺中的上层抗蚀剂膜的倒塌。其解决方案是，在包含对被处理基板的主面供给含有涂敷型薄膜形成物质和溶剂的液体以形成液状的涂敷膜的工序，以及对上述涂敷膜进行上述溶剂的除去和使上述涂敷型薄膜形成物质发生非可逆的反应用的加热处理以形成固形的薄膜的工序的成膜方法中，使在上述涂敷膜的膜厚变动大致结束后到开始上述加热处理为止的待机时间与上述涂敷膜表面附近的每单位体积的水分量的积为大于等于规定值。

公开(公告)号：CN1551298A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410034731.4

申请日：2004-05-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 庄浩太郎 ,  柴田刚 ,  加藤宽和 ,  大西廉伸 ,  河村大辅

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  G03F7/00

Abstract: 在半导体基体之上的被加工层13之上，采用使光致抗蚀剂膜图形化的办法形成第1图形化层14a。在形成了光致抗蚀剂图形后，借助于附加处理使第1图形化层14a变小。其次，在用耐刻蚀性比较大的材料在第1图形化层14a之间形成了埋入膜15后，在进行了平坦化处理后，除去第1图形化层14a。借助于此，使第2图形化层15a剩下来。使用该第2图形化层，刻蚀基底的被加工层13。然后，以基底的被加工层13为掩模，刻蚀例如铝膜12。