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公开(公告)号：CN100422240C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN02801827.3
申请日：2002-05-13
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G77/02 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/50 , C09D183/14 , H01L21/02282 , H01L21/3121
Abstract: 本发明涉及具有高性能和高密度的次产生电器件如半导体器件必须的低介电物质，特别地涉及低介电有机硅酸酯聚合物、碳桥接低聚物的水解缩合产物的制备方法，以及使用由该方法制备的有机硅酸酯聚合物制造绝缘膜的方法，本发明涉及包括由该方法制备的绝缘膜的电器件。根据本发明方法制备的有机硅酸酯聚合物是热稳定的，且具有良好的成膜性能、优异的机械强度和耐裂缝性，从其制造的膜具有优异的绝缘性能、膜均匀性、介电性能、耐裂缝性、和机械强度。
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公开(公告)号：CN1463279A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02801827.3
申请日：2002-05-13
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G77/02 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/50 , C09D183/14 , H01L21/02282 , H01L21/3121
Abstract: 本发明涉及具有高性能和高密度的次产生电器件如半导体器件必须的低介电物质，特别地涉及低介电有机硅酸酯聚合物、碳桥接低聚物的水解缩合产物的制备方法，以及使用由该方法制备的有机硅酸酯聚合物制造绝缘膜的方法，本发明涉及包括由该方法制备的绝缘膜的电器件。根据本发明方法制备的有机硅酸酯聚合物是热稳定的，且具有良好的成膜性能、优异的机械强度和耐裂缝性，从其制造的膜具有优异的绝缘性能、膜均匀性、介电性能、耐裂缝性、和机械强度。
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公开(公告)号：CN1662578A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814811.0
申请日：2003-06-27
Applicant: LG·化学株式会社
CPC classification number: H01L21/3121 , C08G77/48 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种形成用于半导体器件的低电介绝缘膜的组合物，特别涉及一种有机硅酸盐聚合体，所述的有机硅酸盐聚合体通过如下制备：混合在它的两个端用硅烷化合物封端的可热分解的有机硅烷化合物、普通硅烷化合物或者硅烷低聚物，然后加入水和催化剂以进行水解和缩合，而且本发明涉及一种含有该有机硅酸盐聚合体的用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物，用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物还含有成孔有机物质，本发明涉及通过涂敷该组合物并固化制备半导体器件绝缘膜的方法，及含有通过该方法制备的低电介绝缘膜的半导体器件。根据本发明制备的一种具有优异的热稳定性和机械强度的有机硅酸盐聚合体；一种含有该有机硅酸盐聚合体的形成绝缘膜的组合物可用于低电介配线的中间层绝缘膜，其可提供高速半导体、减少功率消耗并显著地减少金属配线之间的相互干扰；通过将组合物施加到绝缘膜上得到的薄膜具有优异的涂覆性能，可阻止相分离，可容易地控制微孔，因为在固化过程中有机物质热分解形成孔，而且它具有优异的绝缘性能和显著降低的薄膜密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1646605A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808713.8
申请日：2003-03-28
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G77/06
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/06 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种通过混合硅烷化合物与有机溶剂以制备第一混合物，以及通过加入水和催化剂以水解并缩合第一混合物而制备的有机硅酸盐聚合物；该第一混合物选自包含氧化氢硅烷、环硅氧烷、氧化氢硅烷与硅烷或硅烷低聚物的第二混合物、和环硅氧烷与硅烷或硅烷低聚物的第三混合物的组；还涉及通过应用该有机硅酸盐聚合物形成半导体器件的绝缘薄膜的复合物；一种应用该复合物制备绝缘薄膜的方法；以及包含该绝缘薄膜的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1458947A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN01815814.5
申请日：2001-09-18
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C08G77/50 , C08G77/06 , C09D183/04 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种具有高密度、高性能的低电介质材料，这种材料是新一代发电装置所必不可少的，如半导体装置。具体地说，本发明提供了：一种制备有机硅酸盐聚合物的方法，它包括在没有均化有机溶剂情况下的聚合步骤，在催化剂存在下搅拌有机硅烷化合物和水并使其相互作用，使有机硅烷化合物水解并缩合，这种聚合物具有热稳定性、优良的机械性能和抗龟裂性；一种用于制备低电介质绝缘膜的涂层组合物；一种利用上述的方法制备的有机硅酸盐聚合物制备低电介质绝缘膜的方法，及一种具有利用本发明的方法制备的低电介质绝缘膜的电装置。
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公开(公告)号：CN100381483C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN03808713.8
申请日：2003-03-28
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G77/06
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/06 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种通过混合硅烷化合物与有机溶剂以制备第一混合物，以及通过加入水和催化剂以水解并缩合第一混合物而制备的有机硅酸酯聚合物；该第一混合物选自由氧化氢硅烷、环硅氧烷、氧化氢硅烷与硅烷或硅烷低聚物的第二混合物、和环硅氧烷与硅烷或硅烷低聚物的第三混合物组成的组；还涉及通过应用该有机硅酸酯聚合物形成半导体器件的绝缘薄膜的组合物；一种应用该组合物制备绝缘薄膜的方法；以及包含该绝缘薄膜的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1326912C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN03814811.0
申请日：2003-06-27
Applicant: LG·化学株式会社
CPC classification number: H01L21/3121 , C08G77/48 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种形成用于半导体器件的低电介绝缘膜的组合物，特别涉及一种有机硅酸盐聚合体，所述的有机硅酸盐聚合体通过如下制备：混合在它的两个端用硅烷化合物封端的可热分解的有机硅烷化合物、普通硅烷化合物或者硅烷低聚物，然后加入水和催化剂以进行水解和缩合，而且本发明涉及一种含有该有机硅酸盐聚合体的用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物，用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物还含有成孔有机物质，本发明涉及通过涂敷该组合物并固化制备半导体器件绝缘膜的方法，及含有通过该方法制备的低电介绝缘膜的半导体器件。根据本发明制备的一种具有优异的热稳定性和机械强度的有机硅酸盐聚合体；一种含有该有机硅酸盐聚合体的形成绝缘膜的组合物可用于低电介配线的中间层绝缘膜，其可提供高速半导体、减少功率消耗并显著地减少金属配线之间的相互干扰；通过将组合物施加到绝缘膜上得到的薄膜具有优异的涂覆性能，可阻止相分离，可容易地控制微孔，因为在固化过程中有机物质热分解形成孔，而且它具有优异的绝缘性能和显著降低的薄膜密度。
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公开(公告)号：CN1246362C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN01815814.5
申请日：2001-09-18
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C08G77/50 , C08G77/06 , C09D183/04 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种具有高密度、高性能的低电介质材料，这种材料是新一代发电装置所必不可少的，如半导体装置。具体地说，本发明提供了：一种制备有机硅酸盐聚合物的方法，它包括在没有均化有机溶剂情况下的聚合步骤，在催化剂存在下搅拌有机硅烷化合物和水并使其相互作用，使有机硅烷化合物水解并缩合，这种聚合物具有热稳定性、优良的机械性能和抗龟裂性；一种用于制备低电介质绝缘膜的涂层组合物；一种利用上述的方法制备的有机硅酸盐聚合物制备低电介质绝缘膜的方法，及一种具有利用本发明的方法制备的低电介质绝缘膜的电装置。
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