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公开(公告)号：CN119029114A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410645061.7
申请日：2024-05-23
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件，包括发光结构和设置在发光结构下方的反射接触层。此外，反射接触层包括：接触发光结构的第一导电类型半导体层的多个欧姆接触区，在该多个欧姆接触区中，第一欧姆接触区具有与该多个欧姆接触中包括的第二欧姆接触区不同的尺寸；以及第一反射层，该第一反射层包括AgAu合金并覆盖该多个欧姆接触区。
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