公开(公告)号：CN119999361A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202280100835.7

申请日：2022-10-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 许美姬 ,  黄圣贤 ,  姜秉俊 ,  朴炯兆

IPC: H10H29/30 ,  H01L25/075 ,  H10D86/60 ,  H10H29/49 ,  H10H20/831 ,  H10H20/84 ,  H10H20/832

Abstract: 显示装置包括：基板；第一组装配线和第二组装配线，位于所述基板上；分隔壁，具有位于第一组装配线和第二组装配线上的组装孔；凸出部，位于组装孔；半导体发光器件，具有凹槽以安置于凸出部；以及连接电极，位于半导体发光器件的下侧。

公开(公告)号：CN118248805A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311689494.4

申请日：2023-12-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 姜秉俊 ,  全基成 ,  黄圣贤 ,  成俊昊 ,  许美姬 ,  李敏遇 ,  朴炯兆

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/36 ,  H01L25/16

Abstract: 半导体发光器件可以包括发光层、位于发光层的上表面和侧表面上的钝化层、位于发光层的下表面和侧表面上的保护层、位于发光层与保护层之间的第一电极、以及位于发光层与钝化层之间的第二电极。发光层的侧表面与下表面之间的内角可以是钝角。

公开(公告)号：CN119029114A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410645061.7

申请日：2024-05-23

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 全支那 ,  刘效相 ,  朴炯兆 ,  姜东勋 ,  成俊锡 ,  奉夏钟

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

Abstract: 一种半导体发光器件，包括发光结构和设置在发光结构下方的反射接触层。此外，反射接触层包括：接触发光结构的第一导电类型半导体层的多个欧姆接触区，在该多个欧姆接触区中，第一欧姆接触区具有与该多个欧姆接触中包括的第二欧姆接触区不同的尺寸；以及第一反射层，该第一反射层包括AgAu合金并覆盖该多个欧姆接触区。