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公开(公告)号：CN106058001B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201510726024.X
申请日：2015-10-30
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体发光装置、其转移头及转移半导体发光装置的方法。该转移半导体发光装置的方法包括以下步骤：面对具有未掺杂半导体层的半导体发光装置定位具有头电极的转移头，所述半导体发光转置布置在载体基板上；将所述转移头的头电极移动至接近所述半导体发光装置的所述未掺杂半导体层；将电压施加到所述头电极，以便通过静电力将附着力提供到所述未掺杂半导体层；以及拾取所述半导体发光装置并且向基础基板转移所述半导体发光装置。
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公开(公告)号：CN112534580A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201880096376.3
申请日：2018-08-29
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本发明的显示装置具备复数个半导体发光元件，其特征在于，复数个所述半导体发光元件中的至少一个包括：第一导电型电极和第二导电型电极；第一导电型半导体层，所述第一导电型电极配置于所述第一导电型半导体层；第二导电型半导体层，其与所述第一导电型半导体层重叠，所述第二导电型电极配置于所述第二导电型半导体层；活性层，其配置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间；未掺杂(undoped)半导体层，其配置在所述第二导电型半导体层上；以及凸起，其形成在所述未掺杂半导体层上并由能够进行电解研磨(Electro polishing)的多孔材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119522651A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202280097961.1
申请日：2022-07-15
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H10H29/30 , H01L25/075 , H10H29/80 , H10H29/85 , H10H20/831
Abstract: 半导体发光器件封装包括具有第一区域和第二区域的半导体基板、半导体基板的第一区域上的第一半导体发光器件、半导体基板的第二区域上的一对组装布线、一对组装布线上的第二半导体发光器件和第三半导体发光器件。
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公开(公告)号：CN114175260A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201980099004.0
申请日：2019-08-07
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本说明书公开了一种以高可靠性转印半导体发光元件的基板以及使用该基板的显示装置的制造方法。具体地，当利用电磁场在组装基板上自组装半导体发光元件时，在所述组装基板形成用于组装对准(Align)用半导体发光元件的组装槽。组装到所述组装槽的对准用半导体发光元件在最终转印到布线基板的步骤中用于对准。与现有的对准键(Align key)不同，所述对准用半导体发光元件反映出在组装之后的转印过程中发生的半导体发光元件的排列误差。因此，当以所述对准用半导体发光元件为基准将半导体发光元件转印到布线基板时，能够提高转印的精确度。
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公开(公告)号：CN119029114A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410645061.7
申请日：2024-05-23
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件，包括发光结构和设置在发光结构下方的反射接触层。此外，反射接触层包括：接触发光结构的第一导电类型半导体层的多个欧姆接触区，在该多个欧姆接触区中，第一欧姆接触区具有与该多个欧姆接触中包括的第二欧姆接触区不同的尺寸；以及第一反射层，该第一反射层包括AgAu合金并覆盖该多个欧姆接触区。
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公开(公告)号：CN112534580B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201880096376.3
申请日：2018-08-29
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本发明的显示装置具备复数个半导体发光元件，其特征在于，复数个所述半导体发光元件中的至少一个包括：第一导电型电极和第二导电型电极；第一导电型半导体层，所述第一导电型电极配置于所述第一导电型半导体层；第二导电型半导体层，其与所述第一导电型半导体层重叠，所述第二导电型电极配置于所述第二导电型半导体层；活性层，其配置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间；未掺杂(undoped)半导体层，其配置在所述第二导电型半导体层上；以及凸起，其形成在所述未掺杂半导体层上并由能够进行电解研磨(Electro polishing)的多孔材料构成。
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公开(公告)号：CN106058001A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510726024.X
申请日：2015-10-30
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/6831 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/95 , H01L2933/0033 , H02N13/00 , H01L33/36 , H01L33/00
Abstract: 本申请涉及半导体发光装置、其转移头及转移半导体发光装置的方法。该转移半导体发光装置的方法包括以下步骤：面对具有未掺杂半导体层的半导体发光装置定位具有头电极的转移头，所述半导体发光转置布置在载体基板上；将所述转移头的头电极移动至接近所述半导体发光装置的所述未掺杂半导体层；将电压施加到所述头电极，以便通过静电力将附着力提供到所述未掺杂半导体层；以及拾取所述半导体发光装置并且向基础基板转移所述半导体发光装置。
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