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公开(公告)号：CN1150615C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN99102874.0
申请日：1999-03-11
Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社
IPC: H01L23/36
CPC classification number: H01L23/3677 , H01L2224/16
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该器件能够将有源元件产生的热有效地传递给散热部件，同时提供了这种半导体器件的制作方法。在基片(如GaAs)上形成的有源元件的一个端子(如漏极)通过一层具有良好绝缘性和高热导率的绝缘部件(如氮化铝)与散热部件相接触。散热部件可以是与有源元件的另一端子相连的导电膜，也可以是封壳的散热片。
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