公开(公告)号：CN1162917C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN99110924.4

申请日：1999-06-16

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 水田正志 ,  葛原正明 ,  梨本泰信 ,  麻埜和则 ,  三好阳介 ,  望月康则

IPC: H01L29/812

CPC classification number: H01L29/812 ,  H01L27/095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7813

Abstract: 在栅电极(5)和漏电极(8)之间的沟道层(2)上的绝缘膜(6)上形成场控制电极(9)。氧化钽(Ta2O5)例如可以用做绝缘膜(6)的材料。

公开(公告)号：CN1160783C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN98119314.5

申请日：1998-09-11

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 麻埜和则 ,  石仓幸治

IPC: H01L23/34 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L29/41725 ,  H01L23/4824 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置包括彼此平行地设置于发热区内的欧姆源板极，栅板极和漏板极，采用不同设计使半导体装置内产生的热量均匀分布。第一例中在各个源板极和漏板极上形成平行于欧姆板极的镀金板极，在发热区中心部分的镀金板极最宽且从发热区中心朝向周边部分设置的镀金板极逐渐变窄。第二例中采用了垂直于欧姆板极的多个条状板极，这些板极间距是变化的。第三例中相对于与发热区中心的距离成反比例地变化半导体衬底的厚度。

公开(公告)号：CN1150615C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN99102874.0

申请日：1999-03-11

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 河野纯子 ,  麻埜和则

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H01L23/3677 ,  H01L2224/16

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该器件能够将有源元件产生的热有效地传递给散热部件，同时提供了这种半导体器件的制作方法。在基片(如GaAs)上形成的有源元件的一个端子(如漏极)通过一层具有良好绝缘性和高热导率的绝缘部件(如氮化铝)与散热部件相接触。散热部件可以是与有源元件的另一端子相连的导电膜，也可以是封壳的散热片。