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公开(公告)号：CN1160783C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN98119314.5
申请日：1998-09-11
Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社
CPC classification number: H01L29/41725 , H01L23/4824 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置包括彼此平行地设置于发热区内的欧姆源板极，栅板极和漏板极，采用不同设计使半导体装置内产生的热量均匀分布。第一例中在各个源板极和漏板极上形成平行于欧姆板极的镀金板极，在发热区中心部分的镀金板极最宽且从发热区中心朝向周边部分设置的镀金板极逐渐变窄。第二例中采用了垂直于欧姆板极的多个条状板极，这些板极间距是变化的。第三例中相对于与发热区中心的距离成反比例地变化半导体衬底的厚度。
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