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公开(公告)号：CN100422797C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200610080331.6
申请日：2006-05-15
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 大石三真
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136259 , G02F1/136286
Abstract: 在制造用于液晶显示装置和有机电致发光显示装置的有源矩阵基片时，通过激光CVD方法修复布线断线的部分。通过激光CVD方法，在布线断线的部分中选择性地形成导电膜。在这之后，至少在导电膜的周围区域上照射激光，并因而残留在导电膜周围区域中的导电微粒被从那里去除。结果，能够防止泄漏电流和寄生电容在断线已被修复的部分和另一个布线之间发生。
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公开(公告)号：CN1862320A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610080331.6
申请日：2006-05-15
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 大石三真
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136259 , G02F1/136286
Abstract: 在制造用于液晶显示装置和有机电致发光显示装置的有源矩阵基片时，通过激光CVD方法修复布线断线的部分。通过激光CVD方法，在布线断线的部分中选择性地形成导电膜。在这之后，至少在导电膜的周围区域上照射激光，并因而残留在导电膜周围区域中的导电微粒被从那里去除。结果，能够防止泄漏电流和寄生电容在断线已被修复的部分和另一个布线之间发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1655039A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510009452.7
申请日：2005-02-08
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/027 , G02F1/133 , G03F7/20
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/78633 , H01L29/78696
Abstract: 位于栅极电极上用来形成在源极电极和漏极电极之间的沟道区域的半导体膜具有比位于栅极电极上的源极电极的宽度和漏极电极的宽度宽的宽度。在沟道区中的两边部分上的半导体膜的宽度方向上形成了不规则。
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公开(公告)号：CN102141697A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110033222.X
申请日：2011-01-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 大石三真
IPC: G02F1/13 , G02F1/133 , G02F1/13357
CPC classification number: H05K1/028 , G02F1/133308 , G02F1/13452 , G09F13/04 , H05K1/00 , H05K13/00 , H05K2201/10136 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供一种显示装置及其FPC板固定方法。该显示装置能够在柔性印刷电路板弯曲而被固定至所述显示装置的支撑部的情况下防止由于形变恢复(即回弹)而在柔性印刷电路板中产生的力造成的不利现象。所述显示装置包括柔性印刷电路板，且所述柔性印刷电路板被设置成弯曲状态，并具有形成在其中的至少一个孔。所述柔性印刷电路板通过第一固定构件(例如，双面压敏胶带)被固定至包括在所述显示装置中的支撑构件(例如，背光后表面板、框架等等)，以及还通过第二固定构件(例如，销钉)，经由所述孔被固定至所述支撑构件。
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公开(公告)号：CN100490179C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200510065192.5
申请日：2005-04-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L29/66765 , H01L29/78669
Abstract: 本发明的TFT，包括：顺序地形成在绝缘衬底上的栅电极、栅绝缘膜和第一半导体膜；包括高密度杂质的第二半导体膜，其形成在第一半导体膜上并被分离成在同一平面上的部分；以及第一电极和第二电极，其每一个都形成在分离的第二半导体膜上。而且，第一半导体膜的外围部分包括从第二半导体膜的边缘向外部突出的部分，且突出部分的表面被粗糙化。通过粗糙化突出部分的表面，能够保持TFT的导通电流并能够抑制泄露电流。
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公开(公告)号：CN100407034C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510009452.7
申请日：2005-02-08
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L21/84 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/78633 , H01L29/78696
Abstract: 位于栅极电极上用来形成在源极电极和漏极电极之间的沟道区域的半导体膜具有比位于栅极电极上的源极电极的宽度和漏极电极的宽度宽的宽度。在沟道区中的两边部分上的半导体膜的宽度方向上形成了不规则。
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公开(公告)号：CN1684273A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510065192.5
申请日：2005-04-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L29/66765 , H01L29/78669
Abstract: 本发明的TFT，包括：顺序地形成在绝缘衬底上的栅电极、栅绝缘膜和第一半导体膜；包括高密度杂质的第二半导体膜，其形成在第一半导体膜上并被分离成在同一平面上的部分；以及第一电极和第二电极，其每一个都形成在分离的第二半导体膜上。而且，第一半导体膜的外围部分包括从第二半导体膜的边缘向外部突出的部分，且突出部分的表面被粗糙化。通过粗糙化突出部分的表面，能够保持TFT的导通电流并能够抑制泄露电流。
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