-
公开(公告)号：CN100555375C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510104135.3
申请日：2005-09-19
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2310/0297
Abstract: 通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障，提供了一种电特性优异的器件。此外，改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中，使用MOS晶体管的电特性，输出除第一电路以外的其他电路所需的信号，以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中，在MOS晶体管的栅极和源极之间，施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
-
公开(公告)号：CN100459169C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610101939.2
申请日：2006-07-11
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757
Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。
-
公开(公告)号：CN1897307A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101939.2
申请日：2006-07-11
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757
Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101593758A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910202851.3
申请日：2009-05-26
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/36 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78648
Abstract: 公开了一种驱动电路、有源矩阵基板和液晶显示装置，其中采用简单的制造步骤，实现由单一导电类型的TFT构成的驱动电路所要求的TFT的截止漏电流。TFT的源区和漏区的杂质浓度设置在2*1018cm－3至2*1019cm－3之间，因此，即使是在单一栅电极的结构中，TFT的截止漏电流也能充分地减小。
-
公开(公告)号：CN101320754A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810136034.8
申请日：2005-09-19
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2310/0297
Abstract: 通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障，提供了一种电特性优异的器件。此外，改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中，使用MOS晶体管的电特性，输出除第一电路以外的其他电路所需的信号，以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中，在MOS晶体管的栅极和源极之间，施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
-
公开(公告)号：CN101989619A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010241990.X
申请日：2010-07-29
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1214 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 薄膜晶体管(TFT)基底包括在相同基底上的第一和第二TFT。第一TFT具有这样的特征，从而在基底和第一绝缘层之间设有下导电层或底部栅极电极层，而在形成在位于第一绝缘层上的半导体层上的第二绝缘层上设有上导电层或顶部栅极电极层。第一导电层具有第一和第二区域，从而第一区域在不与半导体层重叠的情况下与所述第一导电层重叠，而第二区域与半导体层重叠，并且第一区域大于第二区域，而第二绝缘层比第一绝缘层更薄。除了没有栅极电极层之外，第二TFT具有与第一TFT相同的结构。
-
公开(公告)号：CN101527133A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910128536.0
申请日：2005-09-19
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2310/0297
Abstract: 一种读出放大器电路、一种显示设备以及一种半导体器件。通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障，提供了一种电特性优异的器件。此外，改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中，使用MOS晶体管的电特性，输出除第一电路以外的其他电路所需的信号，以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中，在MOS晶体管的栅极和源极之间，施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
-
公开(公告)号：CN1750074A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510104135.3
申请日：2005-09-19
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2310/0297
Abstract: 通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障，提供了一种电特性优异的器件。此外，改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中，使用MOS晶体管的电特性，输出除第一电路以外的其他电路所需的信号，以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中，在MOS晶体管的栅极和源极之间，施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.033 seconds)
