公开(公告)号：CN102956683A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210291294.9

申请日：2012-08-15

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 竹知和重 ,  岩松新之辅 ,  小林诚也 ,  渡部善幸 ,  矢作彻

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/46 ,  H01L21/441 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜器件及其制备方法。对于使用氧化物半导体膜的TFT，存在着以下问题：在对源/漏电极进行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域产生缺氧，从而升高了关断电流。本发明提供了一种TFT，包括：在绝缘衬底上的栅电极、在所述栅电极上的栅绝缘膜、在所述栅绝缘膜上的含铟的氧化物半导体膜、和在所述氧化物半导体膜上的源/漏电极。而且，在所述氧化物半导体膜的未叠加所述源/漏电极的部分中的表面层的XPS谱中源自铟3d轨道的峰位，相对于存在于所述表面层下面的氧化物半导体区域的XPS谱中源自铟3d轨道的峰位，向高能量侧位移。

公开(公告)号：CN104950023B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201510144865.X

申请日：2015-03-30

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 竹知和重 ,  芳贺浩史 ,  岩松新之辅 ,  小林诚也 ,  阿部泰 ,  矢作彻

IPC: G01N27/26

CPC classification number: G01N27/414 ,  G01N27/4145 ,  G01N27/4148 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置。使用TFT或MOSFET的离子传感器的测量灵敏度低，因此难以检测极微量的感测对象物质。TFT离子传感器包括栅电极(硅基板)和参照电极，其中设定栅极绝缘膜(热氧化膜)的静电电容比离子敏感绝缘膜的静电电容大。因此，可根据栅极‑源极电压对源极‑漏极电流特性的阈值电压漂移检测感测对象物质中的离子、激素等的浓度。

公开(公告)号：CN107024522A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610829596.5

申请日：2016-09-18

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 竹知和重 ,  岩松新之辅 ,  阿部泰 ,  矢作彻 ,  今野俊介 ,  加藤睦人

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明涉及一种生物传感器及检测装置。一种TFT生物传感器，包括：栅极电极(硅基板)；参考电极；以及固定于与栅极电极和参考电极在空间上分离的绝缘基板的酶。通过酶与感测对象材料之间的反应，引发离子敏感绝缘膜附近的pH变化。TFT生物传感器通过将该pH变化检测作为栅极‑源极电压对源极‑漏极电流的特性的阈值电压漂移，能够以高灵敏度检测感测对象材料的浓度。

公开(公告)号：CN102956683B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210291294.9

申请日：2012-08-15

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 竹知和重 ,  岩松新之辅 ,  小林诚也 ,  渡部善幸 ,  矢作彻

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/46 ,  H01L21/441 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜器件及其制备方法。对于使用氧化物半导体膜的TFT，存在着以下问题：在对源/漏电极进行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域产生缺氧，从而升高了关断电流。本发明提供了一种TFT，包括：在绝缘衬底上的栅电极、在所述栅电极上的栅绝缘膜、在所述栅绝缘膜上的含铟的氧化物半导体膜、和在所述氧化物半导体膜上的源/漏电极。而且，在所述氧化物半导体膜的未叠加所述源/漏电极的部分中的表面层的XPS谱中源自铟3d轨道的峰位，相对于存在于所述表面层下面的氧化物半导体区域的XPS谱中源自铟3d轨道的峰位，向高能量侧位移。

公开(公告)号：CN104950023A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510144865.X

申请日：2015-03-30

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 竹知和重 ,  芳贺浩史 ,  岩松新之辅 ,  小林诚也 ,  阿部泰 ,  矢作彻

IPC: G01N27/26

CPC classification number: G01N27/414 ,  G01N27/4145 ,  G01N27/4148 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置。使用TFT或MOSFET的离子传感器的测量灵敏度低，因此难以检测极微量的感测对象物质。TFT离子传感器包括栅电极(硅基板)和参照电极，其中设定栅极绝缘膜(热氧化膜)的静电电容比离子敏感绝缘膜的静电电容大。因此，可根据栅极-源极电压对源极-漏极电流特性的阈值电压漂移检测感测对象物质中的离子、激素等的浓度。