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公开(公告)号：CN102956681B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201210286625.X
申请日：2012-08-13
Applicant: NLT科技股份有限公司
Inventor： 竹知和重
IPC: H01L29/06 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜器件。使用氧化物半导体膜的TFT存在的问题是会在源‑漏电极执行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域中产生氧缺乏并增大关断电流。公开一种TFT，其包括：在作为衬底的绝缘衬底上的栅电极；在栅电极上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及在氧化物半导体膜上的源/漏电极，该TFT的特征在于包含至少氟或氯的表面层存在于氧化物半导体膜的没有与源/漏电极重叠的部分中。
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公开(公告)号：CN106449861B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201610621913.4
申请日：2016-08-01
Applicant: NLT科技股份有限公司
Inventor： 竹知和重
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及光传感器元件和光电转换装置。两个栅极电极分别隔着绝缘膜设置在氧化物半导体有源层的上侧和下侧。另外，在氧化物半导体有源层的左侧和右侧设有第一读出电极及第二读出电极。在光传感器元件中，在对各栅极电极施加电压的情况下，在第一读出电极与第二读出电极之间产生电位差，并基于流经读出电极之间的电流来检测照射光的强度。
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公开(公告)号：CN102956683A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210291294.9
申请日：2012-08-15
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/46 , H01L21/441 , H01L29/401 , H01L29/66969 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种薄膜器件及其制备方法。对于使用氧化物半导体膜的TFT，存在着以下问题：在对源/漏电极进行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域产生缺氧，从而升高了关断电流。本发明提供了一种TFT，包括：在绝缘衬底上的栅电极、在所述栅电极上的栅绝缘膜、在所述栅绝缘膜上的含铟的氧化物半导体膜、和在所述氧化物半导体膜上的源/漏电极。而且，在所述氧化物半导体膜的未叠加所述源/漏电极的部分中的表面层的XPS谱中源自铟3d轨道的峰位，相对于存在于所述表面层下面的氧化物半导体区域的XPS谱中源自铟3d轨道的峰位，向高能量侧位移。
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公开(公告)号：CN102956681A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210286625.X
申请日：2012-08-13
Applicant: NLT科技股份有限公司
Inventor： 竹知和重
IPC: H01L29/06 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜器件。使用氧化物半导体膜的TFT存在的问题是会在源-漏电极执行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域中产生氧缺乏并增大关断电流。公开一种TFT，其包括：在作为衬底的绝缘衬底上的栅电极；在栅电极上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及在氧化物半导体膜上的源/漏电极，该TFT的特征在于包含至少氟或氯的表面层存在于氧化物半导体膜的没有与源/漏电极重叠的部分中。
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公开(公告)号：CN104950023A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510144865.X
申请日：2015-03-30
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/414 , G01N27/4145 , G01N27/4148 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置。使用TFT或MOSFET的离子传感器的测量灵敏度低，因此难以检测极微量的感测对象物质。TFT离子传感器包括栅电极(硅基板)和参照电极，其中设定栅极绝缘膜(热氧化膜)的静电电容比离子敏感绝缘膜的静电电容大。因此，可根据栅极-源极电压对源极-漏极电流特性的阈值电压漂移检测感测对象物质中的离子、激素等的浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104637962A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410599391.3
申请日：2014-10-30
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14643 , H01L27/14663 , H01L27/14685 , H01L27/14692 , H01L27/307 , H01L27/3234 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78693 , H01L31/02322 , H01L31/028 , H01L31/03762 , H01L31/204
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括基板、以及在基板上依次层叠形成的多个光电转换元件和多个开关元件。各光电转换元件包括氢化非晶硅层。各开关元件包括非晶氧化物半导体层。图像传感器还包括阻挡层，所述阻挡层设置在光电转换元件的氢化非晶硅层与开关元件的非晶氧化物半导体层之间，其中，阻挡层抑制从氢化非晶硅层分离的氢的透过。
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公开(公告)号：CN104950023B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201510144865.X
申请日：2015-03-30
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/414 , G01N27/4145 , G01N27/4148 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置。使用TFT或MOSFET的离子传感器的测量灵敏度低，因此难以检测极微量的感测对象物质。TFT离子传感器包括栅电极(硅基板)和参照电极，其中设定栅极绝缘膜(热氧化膜)的静电电容比离子敏感绝缘膜的静电电容大。因此，可根据栅极‑源极电压对源极‑漏极电流特性的阈值电压漂移检测感测对象物质中的离子、激素等的浓度。
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公开(公告)号：CN104637962B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201410599391.3
申请日：2014-10-30
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14643 , H01L27/14663 , H01L27/14685 , H01L27/14692 , H01L27/307 , H01L27/3234 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78693 , H01L31/02322 , H01L31/028 , H01L31/03762 , H01L31/204
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括基板、以及在基板上依次层叠形成的多个光电转换元件和多个开关元件。各光电转换元件包括氢化非晶硅层。各开关元件包括非晶氧化物半导体层。图像传感器还包括阻挡层，所述阻挡层设置在光电转换元件的氢化非晶硅层与开关元件的非晶氧化物半导体层之间，其中，阻挡层抑制从氢化非晶硅层分离的氢的透过。
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公开(公告)号：CN107024522A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610829596.5
申请日：2016-09-18
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及一种生物传感器及检测装置。一种TFT生物传感器，包括：栅极电极(硅基板)；参考电极；以及固定于与栅极电极和参考电极在空间上分离的绝缘基板的酶。通过酶与感测对象材料之间的反应，引发离子敏感绝缘膜附近的pH变化。TFT生物传感器通过将该pH变化检测作为栅极‑源极电压对源极‑漏极电流的特性的阈值电压漂移，能够以高灵敏度检测感测对象材料的浓度。
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公开(公告)号：CN106935595A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610937767.6
申请日：2016-10-24
Applicant: NLT科技股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5036 , G02F1/1362 , G02F2201/50 , G02F2201/501 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1266 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L51/107 , H01L51/4293 , H01L51/5237 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L27/1214
Abstract: 本发明涉及薄膜装置和薄膜装置的制造方法。一种薄膜装置，包括：包括第一表面以及与该第一表面相对的第二表面的树脂膜；在第一表面上的第一无机层；在第一无机层上的薄膜元件；以及在第二表面上的第二无机层，其中，第二无机层的膜密度比第一无机层的膜密度大。
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