公开(公告)号：CN105164820B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201480024133.0

申请日：2014-05-07

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金珍赫 ,  金譓俐 ,  安成宰 ,  金镇雄

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明可以提供通过使用溅射法沉积并退火多层结构的前体而制造CIGS光吸收层的方法，其中使用了InxGaySez(IGS)和CuxSey的化合物靶，该方法具有提高的材料使用率、提高的生产率，并且即使在大的面积下也具有优异的薄膜均匀性。

公开(公告)号：CN105164820A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480024133.0

申请日：2014-05-07

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金珍赫 ,  金譓俐 ,  安成宰 ,  金镇雄

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明可以提供通过使用溅射法沉积并退火多层结构的前体而制造CIGS光吸收层的方法，其中使用了InxGaySez(IGS)和CuxSey的化合物靶，该方法具有提高的材料使用率、提高的生产率，并且即使在大的面积下也具有优异的薄膜均匀性。

公开(公告)号：CN104037230B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201410080636.1

申请日：2014-03-06

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  李荣根 ,  刘鸿 ,  安成宰 ,  金泰熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极。

公开(公告)号：CN104037230A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410080636.1

申请日：2014-03-06

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  李荣根 ,  刘鸿 ,  安成宰 ,  金泰熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明涉及一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极。