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公开(公告)号：CN104037230B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201410080636.1
申请日：2014-03-06
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极。
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公开(公告)号：CN104037230A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410080636.1
申请日：2014-03-06
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0566 , B82Y10/00 , H01L51/0091 , H01L51/0094 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极。
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公开(公告)号：CN104037209A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410080333.X
申请日：2014-03-06
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01L29/76 , H01L21/334 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L51/0566 , H01L51/0001 , H01L51/0012 , H01L51/0014 , H01L51/0558
Abstract: 本发明关于一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极，其中在该沟道区域中，多个金属纳米颗粒具有均匀图案排列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106159159B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201610323669.3
申请日：2016-05-16
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开高新信息电子材料株式会社
IPC: H01M50/457 , H01M50/451 , H01M50/431 , H01M50/434 , H01M50/403 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种复合分离膜，所述复合分离膜包含：多孔性高分子基材；陶瓷层，其形成在多孔性高分子基材上；以及金属氧化物层，其通过原子层沉积法形成在陶瓷层及多孔性高分子基材上。所述复合分离膜作为二次电池用复合分离膜，具有显著的物理性质，并且使用所述复合分离膜的二次电池在性能、寿命及稳定性方面比现有的二次电池优异。
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公开(公告)号：CN101903169B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200880121789.9
申请日：2008-12-08
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: B32B15/08
CPC classification number: H05K1/0346 , H05K1/036 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2201/068 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明涉及一种用于印刷电路板的柔性金属包覆层积体及其制造方法。所述柔性金属包覆层积体包括：设置在金属覆层的一个表面上并且具有20ppm/K以下的热膨胀系数的第一聚酰亚胺层；和设置在第一聚酰亚胺层的一个表面上并且具有20ppm/K以上的热膨胀系数的第二聚酰亚胺层，其中第一和第二聚酰亚胺层热膨胀系数之间的差在5ppm/K以内，并且第一聚酰亚胺层树脂的玻璃化转变温度Tg为小于最大固化温度的300℃＜Tg＜350℃。
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公开(公告)号：CN102438826A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022635.1
申请日：2010-05-24
Applicant: SK新技术株式会社
CPC classification number: H05K3/022 , C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/1067 , C08G73/1071 , C08L79/08 , H05K1/0346 , H05K3/382 , H05K3/384 , H05K3/389 , H05K2201/0154 , H05K2203/0759 , H05K2203/1476 , Y10T428/31681
Abstract: 提供一种柔性金属包覆层合体及其制造方法。所述柔性金属包覆层合体通过以下方式获得：将可转化成聚酰亚胺树脂的聚酰亚胺前体树脂多次施加到金属包覆层上、然后干燥和通过红外线(IR)热处理将所述聚酰亚胺前体树脂转化成聚酰亚胺树脂。与金属包覆层直接接触的聚酰亚胺树脂层的玻璃化转变温度为300℃或更高，并且所述聚酰亚胺树脂层的总线性热膨胀系数为20ppm/K或更低。可以获得用于柔性印刷电路板的在蚀刻之前和之后不卷曲，显示出由热处理引起的小的尺寸变化，并且在究成酰亚胺化之后对金属包覆层具有高粘附性和极好外观的柔性金属包覆层合体。
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公开(公告)号：CN104037209B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201410080333.X
申请日：2014-03-06
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01L29/76 , H01L21/334 , B82Y10/00
Abstract: 本发明关于一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极，其中在该沟道区域中，多个金属纳米颗粒具有均匀图案排列。
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公开(公告)号：CN106159159A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610323669.3
申请日：2016-05-16
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M2/14 , H01M2/16 , H01M2/18 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M2/145 , H01M2/1646 , H01M2/1653 , H01M2/18 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种复合分离膜，所述复合分离膜包含：多孔性高分子基材；陶瓷层，其形成在多孔性高分子基材上；以及金属氧化物层，其通过原子层沉积法形成在陶瓷层及多孔性高分子基材上。所述复合分离膜作为二次电池用复合分离膜，具有显著的物理性质，并且使用所述复合分离膜的二次电池在性能、寿命及稳定性方面比现有的二次电池优异。
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