公开(公告)号：CN104037209B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201410080333.X

申请日：2014-03-06

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  李荣根 ,  刘鸿 ,  金泰熙

IPC: H01L29/76 ,  H01L21/334 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明关于一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极，其中在该沟道区域中，多个金属纳米颗粒具有均匀图案排列。

公开(公告)号：CN104037230B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201410080636.1

申请日：2014-03-06

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  李荣根 ,  刘鸿 ,  安成宰 ,  金泰熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极。

公开(公告)号：CN104037230A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410080636.1

申请日：2014-03-06

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  李荣根 ,  刘鸿 ,  安成宰 ,  金泰熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明涉及一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极。

公开(公告)号：CN104037209A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410080333.X

申请日：2014-03-06

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  李荣根 ,  刘鸿 ,  金泰熙

IPC: H01L29/76 ,  H01L21/334 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L51/0566 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明关于一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极，其中在该沟道区域中，多个金属纳米颗粒具有均匀图案排列。