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公开(公告)号：CN118265410A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211702332.5
申请日：2022-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 严怡然
Abstract: 本申请公开了一种复合材料及其制备方法及光电器件，复合材料包括M13噬菌体和金属氧化物，所述金属氧化物包括氧化锌和氧化铁中的一种或两种，所述M13噬菌体的P8蛋白的N端展示有亲和多肽，所述亲和多肽与所述金属氧化物结合。本申请旨在解决现有金属氧化物纳米颗粒成膜效果差的问问。
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公开(公告)号：CN118256225A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211715437.4
申请日：2022-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 严怡然
Abstract: 本申请公开了一种复合材料及其制备方法及光电器件，复合材料包括M13噬菌体、纳米颗粒以及连接在所述纳米颗粒的表面的配体，所述M13噬菌体的P8蛋白的N端展示有配体亲和多肽，所述配体亲和多肽与所述配体结合。本申请利用具有纳米线形态的M13噬菌体作为模板，将纳米颗粒结合在噬菌体P8蛋白的N端，使得量子点纳米颗粒有序的排列在线性模板上，从而使得复合材料的尺寸更易于调控，提高了复合材料的尺寸均一性；此外，M13不与纳米颗粒发生反应，不会影响纳米颗粒本身的特性。
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公开(公告)号：CN117693274A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211048267.9
申请日：2022-08-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K71/15 , H10K71/40 , H10K50/115
Abstract: 本申请公开了一种薄膜的制备方法、光电器件及显示装置。本申请提供的薄膜的制备方法，包括：提供基板，在所述基板上设置量子点溶液；使用超临界流体对设置在所述基板上的所述量子点溶液进行处理，得到初始薄膜；对所述初始薄膜进行红外辐照，得到所述薄膜。所述薄膜的制备方法先通过对设置在所述基板上的量子点溶液进行超临界流体处理，使所述量子点溶液中的量子点沉积，然后再通过红外辐照处理去除溶剂，如此，可以大幅提升量子点溶液中溶剂的去除效率，进而提升薄膜的形貌和成膜均匀性。
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公开(公告)号：CN116193952A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111414618.9
申请日：2021-11-25
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K85/30 , H10K50/115 , B82Y30/00
Abstract: 本申请公开了一种纳米粒子，包括量子点及连接在所述量子点表面的二苯基膦配体，所述量子点的表面具有Se，所述二苯基膦配体与所述Se通过配位键连接，所述纳米粒子中，所述二苯基膦配体与所述量子点的质量比的范围为(0.08:1)～(0.2:1)。本申请的纳米粒子中的二苯基膦配体与量子点表面的Se之间可以形成较强的化学键合而将Se覆盖，从而避免暴露的Se所引起的非辐射弛豫，进而有效地提升纳米粒子的光稳定性，进而有效地提升包括所述纳米粒子的发光二极管的效率及寿命。另，本申请还公开了一种包括所述纳米粒子的组合物、包括所述纳米粒子的发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置。
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公开(公告)号：CN115707316A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110879059.2
申请日：2021-08-02
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K71/12
Abstract: 本申请中提供一种量子点薄膜及制备方法、量子点发光二极管及制备方法。本申请中量子点薄膜的制备方法包括以下步骤：提供量子点溶液，所述量子点溶液中包括表面结合有配体的量子点材料以及混合在所述量子点溶液中的杂质；在第一溶剂的气氛氛围条件下，由所述量子点溶液获得量子点薄膜，其中，所述杂质在所述第一溶剂中的溶解度与所述量子点材料在所述第一溶剂中的溶解度的比值大于100。本申请在制备量子点薄膜过程中去除量子点材料中的杂质，有利于降低杂志在量子点薄膜中的含量，从而提高量子点薄膜的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114695721A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011637554.4
申请日：2020-12-31
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 严怡然
Abstract: 本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层，所述界面层材料为钠快离子导体，所述钠快离子导体的结构通式为Na1+xM2NxP3‑xO12，其中，M为阳离子，N为阴离子，0≤x≤3；所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。本发明中，所述界面层可有效降低空穴注入势垒，提高空穴注入速率，同时有效防止电子发生隧穿与空穴在非量子点发光区复合，从而提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN113972335A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010717843.9
申请日：2020-07-23
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种发光器件，包括：相对设置的第一电极和第二电极，以及设置在第一电极和第二电极之间的功能层，所述功能层包括发光层；至少所述第一电极包括金属层和第一透明导电层，所述第一透明导电层设置在靠近所述功能层的一侧，在所述金属层和所述第一透明导电层之间还设置有调制层，所述调制层的折射率随外场电压的变化而变化。本发明提供的发光器件，直接在电极中引入一层调制层，使调制层参与到器件微腔效应中，使发光器件的实际发射峰波长可趋近并达到预设的发射峰波长，提高器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN113823747A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010558501.7
申请日：2020-06-18
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米材料及其制备方法和发光二极管。本发明提供的制备方法包括：提供第一溶液，第一溶液分散有长链有机配体表面修饰的硫铜锡锌纳米颗粒；提供第二溶液，第二溶液分散有钙钛矿；将第一溶液和第二溶液进行混合反应，获得第三溶液；将第三溶液进行固液分离，获得纳米材料。本发明方法通过配体交换，形成钙钛矿表面修饰的硫铜锡锌纳米颗粒，提高了材料的膜层质量，并增大了颗粒之间的界面接触，促进空穴在硫铜锡锌纳米颗粒之间传输，有效提高了材料的空穴传输性能和导电性，将上述方法制得的纳米材料应用制备发光二极管，有利于获得高性能的全无机发光二极管。
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公开(公告)号：CN116997224A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210427429.3
申请日：2022-04-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K71/00 , H10K50/165
Abstract: 本申请公开一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件的制备方法，包括：提供基板，在基板上依次设置阳极、发光层、电子传输层和阴极；或提供基板，在基板上依次设置阴极、电子传输层、发光层和阳极；其中，对电子传输层进行热载流子注入处理。通过热载流子注入处理使电子传输层出现陷阱电荷，对电子传输层造成可控制的损伤，对电子传输层的载流子迁移造成一定程度的退化，从而一定程度降低光电器件的电子注入，显著提升光电器件的电荷平衡和载流子平衡，同时，避免了热处理对量子点材料性能的损伤，有效地提升了器件的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN113964281B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202010697969.4
申请日：2020-07-20
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/165 , H10K71/00 , H10K99/00 , C01B19/00
Abstract: 本发明公开一种薄膜、量子点发光二极管及其制备方法，所述薄膜的制备方法包括步骤：提供包括AgNO3、Bi(NO3)3和溶剂的混合溶液；对所述混合溶液进行第一加热处理，使溶剂挥发，得到包括AgNO3和Bi(NO3)3的第一薄膜；将包括AgNO3和Bi(NO3)3的第一薄膜进行第二加热处理得到第二薄膜；将第二薄膜进行硒化处理，得到包括Ag掺杂Bi2O2Se的所述薄膜。本发明薄膜结构均匀致密，表面平滑，且薄膜具有高电子迁移率，从而提高电荷传输性能和导电性，促进器件中电子和空穴注入平衡，提高器件性能。
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