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公开(公告)号：CN118791841A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310387440.6
申请日：2023-04-11
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 马松
Abstract: 本申请公开了一种复合材料、发光器件及其制备方法及显示装置，所述复合材料包括量子点和聚噻吩共聚物，其中，所述聚噻吩共聚物与水的接触角大于90°。本申请通过在量子点中掺杂所述聚噻吩共聚物，该共聚物可以与量子点共同构建出共聚物‑量子点网络，从而有助于增强材料导电性；具有疏水性的聚噻吩共聚物填充在量子点之间的缝隙中，可以减缓水氧渗入，起到对量子点水氧保护的作用，有助于提高量子点的稳定性。
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公开(公告)号：CN116193952A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111414618.9
申请日：2021-11-25
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K85/30 , H10K50/115 , B82Y30/00
Abstract: 本申请公开了一种纳米粒子，包括量子点及连接在所述量子点表面的二苯基膦配体，所述量子点的表面具有Se，所述二苯基膦配体与所述Se通过配位键连接，所述纳米粒子中，所述二苯基膦配体与所述量子点的质量比的范围为(0.08:1)～(0.2:1)。本申请的纳米粒子中的二苯基膦配体与量子点表面的Se之间可以形成较强的化学键合而将Se覆盖，从而避免暴露的Se所引起的非辐射弛豫，进而有效地提升纳米粒子的光稳定性，进而有效地提升包括所述纳米粒子的发光二极管的效率及寿命。另，本申请还公开了一种包括所述纳米粒子的组合物、包括所述纳米粒子的发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置。
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公开(公告)号：CN115537194A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110732982.3
申请日：2021-06-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 马松
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C08J5/18 , C08L33/12 , C08L51/08 , C08L67/02 , C08K9/04 , C08K3/30 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种配体修饰量子点、量子点薄膜、量子点薄膜的制备方法以及发光器件。配体修饰量子点包括量子点和修饰在量子点表面的配体，其中，配体包括苯丙烯酸以及苯丙烯酸的衍生物中的一种或者多种。本申请的配体修饰量子点在聚合物单体或者预聚物溶液中具有良好的稳定性，并且在引发剂的引发下能够与聚合物单体或者预聚物发生聚合交联，能够提高量子点薄膜的均匀性，并避免合成的量子点薄膜的下降。
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公开(公告)号：CN116171063A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111402979.1
申请日：2021-11-24
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/844 , H10K71/00
Abstract: 本申请公开了一种电致发光器件及其制备方法、光电装置，通过在至少两层功能层的材料中掺有光交联剂，两层所述功能层为相邻设置，光交联剂一方面可以与各功能层材料通过化学键的方式结合，另一方面，光交联剂之间还可以形成交联结构，使相邻的各功能层之间贴合的更为牢固，避免柔性器件在使用过程中出现的膜层开裂以及膜层整体脱落的情况，从而改善器件容易失效的问题。
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公开(公告)号：CN114682284B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011642647.6
申请日：2020-12-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 马松
Abstract: 本发明公开一种复合光催化剂及其制备方法与应用。方法包括步骤：将g‑C3N4材料、铵盐和过渡金属盐溶于水中，并加热搅拌，得到前驱体；将前驱体进行煅烧，得到过渡金属氧化物/g‑C3N4纳米片复合光催化剂。本发明通过气相插层剥落g‑C3N4材料得到g‑C3N4纳米片，并通过煅烧法在g‑C3N4纳米片上负载过渡金属氧化物，煅烧时过渡金属氢氧化物分解产生的水蒸气会对g‑C3N4纳米片进行二次剥落，得到超薄g‑C3N4纳米片。本方法操作简单，调整铵盐加入比例和加热温度可以控制剥落程度。过渡金属氧化物助催化剂合成方法简便高效、成本低、载流子迁移率高，显著增加表面产氢活性位点，提高电子空穴分离效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116940162A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210331930.X
申请日：2022-03-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K59/10 , H10N30/857 , H10N30/077 , H10K50/15 , H10K71/00
Abstract: 本申请公开一种发光器件及其制备方法、显示装置。本申请的发光器件，包括由下而上依次层叠设置的第一电极、第一空穴功能层、第二空穴功能层及第二电极；第一空穴功能层与第二空穴功能层之间设置有第一压电层，第二电极远离所述第二空穴功能层的一侧设置有第二压电层。利用第一压电层与第一空穴功能层、第二空穴功能层之间形成的能带结构，以使其空穴能够顺利传输能量，而当第二压电层产生形变向第一压电层施加压力时又会形成机‑电耦合效应，以使其在第一压电层内产生电场，并在电场作用下，使空穴的迁移率得以提高，从而进一步提高第二空穴功能层中的空穴迁移率，调节空穴与电子的平衡性，改善发光器件的发光性能，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN116425711A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111658679.X
申请日：2021-12-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: C07D311/10 , H10K50/16 , H10K71/00 , H10K85/60 , B82Y30/00
Abstract: 本申请公开了一种化合物、发光器件及其制备方法与显示装置，所述化合物是由香豆素和/或香豆素衍生物，与纳米金属氧化物配位连接获得的化合物；所述发光器件的制备方法包括制备电子传输层的步骤，在制备电子传输层的过程中，先制备电子传输材料层，电子传输材料层的材料包括所述化合物，然后采用第一光照条件处理电子传输材料层以获得电子传输前驱层，再在电子传输前驱层的一侧制备形成上层功能薄膜，上层功能薄膜制备完毕后，采用第二光照条件处理电子传输前驱层以获得电子传输层，具有操作方便、适用于工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN116408106A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111635474.X
申请日：2021-12-29
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: B01J27/04 , B01J27/047 , B01J27/051 , B01J27/22 , B01J31/06 , B01J35/00 , C01B3/04
Abstract: 本申请公开一种光催化材料、制备方法、制氢方法及应用。光催化材料包括CdS纳米材料和苯胺类长链聚合物，苯胺类长链聚合物结合在CdS纳米材料的表面。通过在CdS纳米材料的表面增加苯胺类长链聚合物，苯胺类长链聚合物与CdS中的S空位配位或者通过范德华力物理吸附在CdS光催化剂上形成长链配体。CdS吸收可见光后，产生光生电子‑空穴对，由于苯胺类长链聚合物具有优异的空穴传输能力，空穴通过长链结构高效传导与电子发生分离，减少了光生电子‑空穴对复合的概率，以使水中H+能够捕获较多的电子，从而提高了光解水产氢效率。
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公开(公告)号：CN116193939A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111420181.X
申请日：2021-11-26
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种薄膜处理方法，涉及显示技术领域，该方法包括以下步骤：提供以金属氧化物为电子传输材料的电子传输膜层；在氧含量为25～40ppm的第一惰性气体环境中利用脉冲光对电子传输膜层进行退火处理。本申请提供的薄膜处理方法在特定氧含量的惰性气体环境下采用脉冲光进行电子传输层的退火处理，以改善电子传输层中电荷注入不平衡的问题。
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公开(公告)号：CN114452990A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011237927.9
申请日：2020-11-09
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 马松
Abstract: 本申请涉及光催化材料技术领域，提供了一种过渡金属碳化物的制备方法，包括如下步骤：提供过渡金属盐和碳源；将所述过渡金属盐和所述碳源溶于水中，然后进行加热蒸发处理，得到前驱体；将所述前驱体进行煅烧处理，得到所述过渡金属碳化物。该制备方法的工艺条件简单稳定易控制，产物产率高，杂质极易清洗，具有很好的工业应用前景。
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