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公开(公告)号：CN116351812A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111621718.9
申请日：2021-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种管路清洗方法及其使用方法，包括：向待清洗的管路中通入清洗流体；对清洗流体进行热处理，以使部分清洗流体汽化后产生蒸汽气泡；通过蒸汽气泡与清洗流体共同清洗管路。部分汽化的清洗流体使管路中的清洗流体总体积变大，提升了清洗流体的流速上限，有助于杂质清理；降低气压可使清洗流体沸点降低，避免了热处理对设备的损伤；使用微波可只针对清洗流体进行加热，对于设备的影响可忽略不计，提升了清洗能力，将此管路清洗方法应用于微流控制备量子点，提高了后续制备的量子点材料的性能。
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公开(公告)号：CN116008637A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111234054.0
申请日：2021-10-22
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: G01R19/08
Abstract: 本申请实施例提供了一种电子器件的后处理方法、装置、计算机设备及存储介质，通过获取目标电子器件在标准后处理参数下的标准电流密度数据，从而确定了后处理进行后处理的决策依据，然后，基于标准后处理参数对目标电子器件进行后处理，并监测目标电子器件的实际电流密度数据，实现了对目标电子器件后处理状态的实时监测，提高了对后处理的监测效率，最后，在实际电流密度数据与标准电流密度数据的相似度满足预设条件时，控制目标电子器件停止后处理，本申请通过实时对电子器件后处理的状态进行监测，保证了获取到具有相近的较佳性能的电子器件，减少在电子器件制备阶段以及后处理阶段带来的性能差异，提高了电子器件的良品率。
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公开(公告)号：CN115589755A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110761158.0
申请日：2021-07-06
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光器件的处理方法及系统。该方法包括：在对待处理的发光器件进行第一后处理的过程中，按预设的时间间隔连续拍摄所述发光器件，得到第一待比对图像；获取第一参考图像，所述第一参考图像包括经过第一后处理且寿命大于或等于预设寿命的第一参考发光器件的图像，其中，第一参考发光器件与所述发光器件的层结构和各层的组成成分相同；确定第一待比对图像与第一参考图像的相似度，在所述第一待比对图像与所述第一参考图像的相似度大于或等于第一预设相似度时，停止对所述发光器件进行第一后处理。本申请可以使得在对层结构和各层的组成成分相同的一批发光器件进行后处理后，各发光器件的寿命差距较小。
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公开(公告)号：CN116940160A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210324895.9
申请日：2022-03-29
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法，属于电致发光技术领域。本申请的电致发光器件包括多层结构的器件功能层，器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm。本申请能够通过第一材料层减弱器件功能层内经过电子功能层的蓝光，以减弱这些蓝光对电子功能层的影响，进而提升器件的性能及稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116261373A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111500737.6
申请日：2021-12-09
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K50/805 , H10K50/844
Abstract: 本申请实施例公开了一种发光二极管的制备方法，涉及显示技术领域，该制备方法包括：提供底电极；以及在底电极上形成结构层，利用冲击波冲击结构层。本申请提供的发光二极管的制备方法利用冲击波冲击器件，利用冲击波的冲击作用使器件中的相邻的结构层之间的层间隙减小，可以提高相邻的结构层的材料之间的互融度，降低相邻的结构层之间的层间势垒，减少器件因为层间隙导致的漏电流，改善器件的载流子传输平衡，进而提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN115931298A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110920230.X
申请日：2021-08-11
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种最高亮度和寿命获取方法、装置、存储介质及电子设备，用于测试显示器件寿命时准确获取最高亮度，相较于传统的方式，发明人创造性地发现引起测试寿命与实际寿命误差的原因，从而提出高效的解决方案，不仅以相同电流作为参考因素，还考虑到电压的变化可能引起的误差，在保证反推亮度电流值与寿命一致的条件下还考虑电压的一致性，通过两个参数的一致性提高了最高亮度确定的准确性，从而提高显示器件寿命推算的准确度。
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公开(公告)号：CN118284250A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211734142.1
申请日：2022-12-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 贺晓光
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/16 , H10K50/844 , H10K59/12
Abstract: 本申请公开了一种发光器件的制备方法和发光器件、显示装置。本申请提供的基板设有量子点发光层，对量子点发光层进行第一预处理，第一预处理在第一气体氛围中进行；和/或，基板设有电子传输层，对电子传输层进行第二预处理，第二预处理在第二气体氛围中进行；和/或，在封装得到发光器件后，对发光器件进行第三预处理，第三预处理在第三气体氛围中进行；其中，第一预处理、第二预处理、第三预处理的湿度均大于等于40％；本申请的实施例减少对原有工艺的改动；本申请通过将预处理在气体氛围中进行，实现功能层和/或器件的预处理；通过控制气体氛围的湿度大于等于40％，实现本申请实施例的目的，最终改善器件的性能。
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公开(公告)号：CN117769286A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211131092.8
申请日：2022-09-16
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/115 , H10K59/10 , H10K71/00
Abstract: 本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件，包括层叠的阳极、空穴功能层、发光层及阴极，所述空穴功能层的材料包括核壳结构颗粒，所述核壳结构颗粒的核的材料选自P型半导体材料，所述核壳结构颗粒的壳的材料选自N型半导体材料。所述核壳结构颗粒中的核与壳之间形成了一种PN结效应，PN结形成的内部电场方向是由核指向壳，空穴载流子在PN结的作用下由P型半导体材料流向N型半导体材料层，在内部电场力的作用下，能够加速空穴的提取与传输，从而提升空穴功能层一侧的载流子传输能力，进而提高所述光电器件的载流子平衡性，提高所述光电器件的性能。
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公开(公告)号：CN115953455A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202111176218.9
申请日：2021-10-09
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种溶液注入方法及其应用，涉及工业技术领域。溶液注入方法包括：提供管道，往管道预注入溶液，启动图像摄取，获取管道的溶液无气泡时的图像作为基准图片；继续注入溶液，并按预设频率对流经管道的溶液进行图像摄取，得到实时图片；以及根据基准图片和实时图片的灰度值，输出灰度差异信息。利用该方法能够获知管道内气泡的情况，实现溶液注入情况的掌控。本发明提供的溶液注入方法的应用，用于制备发光二极管、太阳能电池、药物、生物材料。
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