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公开(公告)号:CN110873608A
公开(公告)日:2020-03-10
申请号:CN201910821807.4
申请日:2019-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明的电阻元件阵列电路具备多根字线、多根位线、多个电阻元件、选择部、差分放大器和接地端子。多根字线与电源连接。多个电阻元件分别配置在多根字线与多根位线的多个交叉点上。选择部选择任何一根字线,并且选择任何一根位线。差分放大器包括正输入端子、负输入端子和输出端子,正输入端子与多根位线中的被选择部选择的一根选择位线连接,负输入端子与多根位线中的没有被选择部选择的非选择位线和多根字线中的没有被选择部选择的非选择字线的双方连接,输出端子与负输入端子连接。接地端子与正输入端子连接。
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公开(公告)号:CN115840172A
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202211150253.8
申请日:2022-09-21
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 磁传感器具备由多个MR元件构成的多个电阻部、和分别具有用于使多个MR元件检测对象磁场的特定的分量的结构的多个凸面。多个MR元件分割成与多个电阻部对应的第一~第四区域而配置。第一~第四区域各自具有位于第一基准方向上的两端的第一端缘及第二端缘、位于第二基准方向上的两端的第三端缘及第四端缘。多个凸面各自相对于第一端缘或第二端缘所成的角度大于多个凸面各自相对于第三端缘或第四端缘所成的角度。
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公开(公告)号:CN115856730A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211143482.7
申请日:2022-09-20
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 磁传感器包含绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。绝缘层包含第一层和第二层,并且具有遍及第一层和第二层形成的第一及第二倾斜面。第一及第二MR元件各自包含磁化固定层及自由层。第一MR元件的磁化固定层及自由层配置在第一倾斜面之上。第二MR元件的磁化固定层及自由层配置在第二倾斜面之上。
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公开(公告)号:CN110873608B
公开(公告)日:2021-05-14
申请号:CN201910821807.4
申请日:2019-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明的电阻元件阵列电路具备多根字线、多根位线、多个电阻元件、选择部、差分放大器和接地端子。多根字线与电源连接。多个电阻元件分别配置在多根字线与多根位线的多个交叉点上。选择部选择任何一根字线,并且选择任何一根位线。差分放大器包括正输入端子、负输入端子和输出端子,正输入端子与多根位线中的被选择部选择的一根选择位线连接,负输入端子与多根位线中的没有被选择部选择的非选择位线和多根字线中的没有被选择部选择的非选择字线的双方连接,输出端子与负输入端子连接。接地端子与正输入端子连接。
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