公开(公告)号：CN115840170A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211143475.7

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  牧野健三 ,  桥野将亲

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器具备具有凸面的绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。凸面包含第一曲面部分。第一曲面部分包括包含凸面的上端部的第一部分、和在远离凸面的上端部的位置与第一部分连续的第二部分。在将凸面的形状视为函数Z时，与第一部分对应的函数Z的二阶导函数Z”的值的绝对值的平均值小于与第二部分对应的函数Z的二阶导函数Z”的值的绝对值的平均值。

公开(公告)号：CN115840169A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211143044.0

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  牧野健三 ,  桥野将亲

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器包含具有凸面的绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。第一MR元件配置在凸面的第一倾斜面之上。第二MR元件配置在凸面的第二倾斜面之上。凸面包含第一～第三曲面部分。第二及第3曲面部分分别是向接近基板的上表面的方向上凸出的曲面。

公开(公告)号：CN115856730A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211143482.7

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  川森启太 ,  牧野健三 ,  桥野将亲

IPC: G01R33/09 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 磁传感器包含绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。绝缘层包含第一层和第二层，并且具有遍及第一层和第二层形成的第一及第二倾斜面。第一及第二MR元件各自包含磁化固定层及自由层。第一MR元件的磁化固定层及自由层配置在第一倾斜面之上。第二MR元件的磁化固定层及自由层配置在第二倾斜面之上。