公开(公告)号：CN106024725B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201610346620.X

申请日：2013-09-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 露谷和俊 ,  大川博茂 ,  铃木义弘 ,  望月强

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K3/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔(112a)的预浸料坯(111a)。接着，将半导体IC(120)容纳于贯通孔(112a)，通过在该状态下热压预浸料坯(111a)而使树脂的一部分流入到贯通孔(112a)，由此由流入的树脂将容纳在贯通孔(112a)的半导体IC(120)埋入。在本发明中，在半导体IC(120)的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC(120)埋入，因而可以得到在半导体IC(120)的上下不存在芯部的超薄型构造。

公开(公告)号：CN106024725A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610346620.X

申请日：2013-09-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 露谷和俊 ,  大川博茂 ,  铃木义弘 ,  望月强

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K3/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495

CPC classification number: H05K1/03 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/188 ,  H05K3/007 ,  H05K3/305 ,  H05K2201/068 ,  H05K2203/0152 ,  Y10T29/4913

Abstract: 本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔(112a)的预浸料坯(111a)。接着，将半导体IC(120)容纳于贯通孔(112a)，通过在该状态下热压预浸料坯(111a)而使树脂的一部分流入到贯通孔(112a)，由此由流入的树脂将容纳在贯通孔(112a)的半导体IC(120)埋入。在本发明中，在半导体IC(120)的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC(120)埋入，因而可以得到在半导体IC(120)的上下不存在芯部的超薄型构造。

公开(公告)号：CN103681526B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310432296.X

申请日：2013-09-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 露谷和俊 ,  大川博茂 ,  铃木义弘 ,  望月强

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H05K3/30

CPC classification number: H05K1/03 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/188 ,  H05K3/007 ,  H05K3/305 ,  H05K2201/068 ,  H05K2203/0152 ,  Y10T29/4913

Abstract: 本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔（112a）的预浸料坯（111a）。接着，将半导体IC（120）容纳于贯通孔（112a），通过在该状态下热压预浸料坯（111a）而使树脂的一部分流入到贯通孔（112a），由此由流入的树脂将容纳在贯通孔（112a）的半导体IC（120）埋入。在本发明中，在半导体IC（120）的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC（120）埋入，因而可以得到在半导体IC（120）的上下不存在芯部的超薄型构造。

公开(公告)号：CN103681526A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310432296.X

申请日：2013-09-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 露谷和俊 ,  大川博茂 ,  铃木义弘 ,  望月强

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H05K3/30

CPC classification number: H05K1/03 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/188 ,  H05K3/007 ,  H05K3/305 ,  H05K2201/068 ,  H05K2203/0152 ,  Y10T29/4913

Abstract: 本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔（112a）的预浸料坯（111a）。接着，将半导体IC（120）容纳于贯通孔（112a），通过在该状态下热压预浸料坯（111a）而使树脂的一部分流入到贯通孔（112a），由此由流入的树脂将容纳在贯通孔（112a）的半导体IC（120）埋入。在本发明中，在半导体IC（120）的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC（120）埋入，因而可以得到在半导体IC（120）的上下不存在芯部的超薄型构造。