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公开(公告)号：CN106024725B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610346620.X
申请日：2013-09-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/60 , H05K1/18 , H05K3/00 , H01L21/56 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔(112a)的预浸料坯(111a)。接着，将半导体IC(120)容纳于贯通孔(112a)，通过在该状态下热压预浸料坯(111a)而使树脂的一部分流入到贯通孔(112a)，由此由流入的树脂将容纳在贯通孔(112a)的半导体IC(120)埋入。在本发明中，在半导体IC(120)的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC(120)埋入，因而可以得到在半导体IC(120)的上下不存在芯部的超薄型构造。
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公开(公告)号：CN102738116B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210093530.6
申请日：2012-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H05K1/185 , H01L23/485 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/3511 , H05K3/32 , Y10T29/49146 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供能够防止电子部件的损伤并且能够减小电子部件与配线的连接部位上的电阻，从而改善导电特性以及进一步还能够提高IC端子与树脂绝缘层的紧密附着性的电子部件内藏基板以及其制造方法。在将电子部件(1)等载置于基板(20)上面并且在其之上设置绝缘层(31)之后，将贯通孔(V)穿设于电子部件(1)的端子(2)上的绝缘层(31)。电子部件(1)的端子(2)具有例如第1金属层(201)、第2金属层(202)以及第3金属层(203)的层叠构造。在贯通孔(V)形成的时候，除去电阻比较高的第3金属层(203)的一部分，并将包含贯通导体的配线层连接于该部位。另外，第3金属层(203)优选使用与绝缘层(31)的紧密附着性优异的材料。
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公开(公告)号：CN116724391A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202180070192.1
申请日：2021-10-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 在具有多层布线结构的电子部件内置基板中，要防止形成于较深的通孔的通孔导体的空隙，并且提高较浅的通孔与通孔导体的密合性。电子部件内置基板(100)具备：导体层(L1‑L3)；绝缘层(112、113)，其设置在导体层(L2、L3)之间；绝缘层(114)，其设置在导体层(L1、L2)之间；半导体IC(130)，其埋入绝缘层(112、113)；通孔导体(142)，其埋入通孔(V)；以及通孔导体(143)，其埋入通孔(143a)。通孔(143a)设置于与通孔(V)重叠的位置，通孔(143a)比通孔(V)浅，通孔(143a)的内壁的表面粗糙度比通孔(V)的内壁的表面粗糙度大。由此，在埋入深度较深的通孔(V)的通孔导体(142)难以形成空隙，并且能够提高埋入深度较浅的通孔(143a)的通孔导体(143)的密合性。
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公开(公告)号：CN104684254A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410705847.X
申请日：2014-11-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L24/20 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L23/5226 , H01L23/544 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/83 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/05647 , H01L2224/18 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/4918 , H01L2224/83132 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H05K1/185 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及IC内置基板，其包含具有开口部的芯基板、设置于开口部内的IC芯片、下部绝缘层和上部绝缘层。IC芯片和芯基板被夹在下部绝缘层和上部绝缘层之间。上部绝缘层以填充IC芯片的侧面和芯基板的开口部的内周面之间的间隙的方式而形成。从IC芯片的上表面到上部绝缘层的上表面的第一距离比从芯基板的上表面到上部绝缘层的上表面的第二距离短。
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公开(公告)号：CN112447653A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910815152.X
申请日：2019-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及传感器用封装基板及具备其的传感器模块以及电子部件内置基板。在传感器用封装基板中，缩短连接传感器芯片和电子部件的配线的配线距离并且缩小基板的面积。传感器用封装基板(100)具备用于搭载传感器芯片的搭载区域(A)和与传感器芯片连接的控制器芯片(150)，且具有设置于俯视时与搭载区域重叠的位置且从一表面(101)贯通到另一表面(102)的贯通孔(V1)，搭载区域和控制器芯片俯视时具有重叠。根据本发明，通过减薄绝缘层(113、114)的厚度，不仅能够缩短连接传感器芯片和控制器芯片的配线的配线距离，还能缩小基板的面积。另外，对于传感器芯片，能够经由贯通孔检测成为测定对象的物理量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111385971A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911356395.8
申请日：2019-12-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现高密度安装，并提高了通孔导体的连接可靠性的电路基板。内置半导体IC电路基板(100)具备导体层(L2、L3)、位于导体层(L2)和导体层(L3)之间的绝缘层(112、113)、以及形成于贯通绝缘层(112、113)而设置的通孔(253a)的内部并连接导体层(L2)和导体层(L3)的通孔导体(253)。通孔(253a)具有沿深度方向直径缩小的形状。通孔(253a)包括位于导体层(L2)侧的区间(S1)和位于导体层(L3)侧的区间(S2)，区间(S1)的每单位深度的直径的缩小量大于区间(S2)的每单位深度的直径的缩小量。由此，缓和位于通孔(253a)的区间(S1)的端部的边缘的角度θ1，因此，可提高通孔导体(253)的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN108962843A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810479432.3
申请日：2018-05-18
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82005 , H01L2224/9222 , H01L2224/96 , H01L23/3114 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供能够在半导体IC的背面部分配置配线，并且在芯片粘接材料与绝缘层之间不产生空隙的半导体IC内置基板，其包括：被埋入绝缘层(11)、上表面(21a)与绝缘层(11)的上表面(11a)构成同一平面的配线层(21)；经由芯片粘接薄膜(41)配置于配线层(21)的上表面(21a)的半导体IC(40)；和以将半导体IC(40)埋入的方式层叠于配线层(21)的上表面(21a)的绝缘层(12)，芯片粘接薄膜(41)的背面(41a)与绝缘层(11)的上表面(11a)以及配线层(21)的上表面(21a)双方相接，这样，配线层(21)与绝缘层(11)构成同一平面，因此在芯片粘接薄膜(41)与绝缘层(11)之间不产生空隙，而且能够有效利用位于半导体IC(40)的背面部分的配线层(21)。
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公开(公告)号：CN104684254B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410705847.X
申请日：2014-11-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L24/20 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L23/5226 , H01L23/544 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/83 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/05647 , H01L2224/18 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/4918 , H01L2224/83132 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H05K1/185 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及IC内置基板，其包含具有开口部的芯基板、设置于开口部内的IC芯片、下部绝缘层和上部绝缘层。IC芯片和芯基板被夹在下部绝缘层和上部绝缘层之间。上部绝缘层以填充IC芯片的侧面和芯基板的开口部的内周面之间的间隙的方式而形成。从IC芯片的上表面到上部绝缘层的上表面的第一距离比从芯基板的上表面到上部绝缘层的上表面的第二距离短。
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公开(公告)号：CN111385971B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201911356395.8
申请日：2019-12-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现高密度安装，并提高了通孔导体的连接可靠性的电路基板。内置半导体IC电路基板(100)具备导体层(L2、L3)、位于导体层(L2)和导体层(L3)之间的绝缘层(112、113)、以及形成于贯通绝缘层(112、113)而设置的通孔(253a)的内部并连接导体层(L2)和导体层(L3)的通孔导体(253)。通孔(253a)具有沿深度方向直径缩小的形状。通孔(253a)包括位于导体层(L2)侧的区间(S1)和位于导体层(L3)侧的区间(S2)，区间(S1)的每单位深度的直径的缩小量大于区间(S2)的每单位深度的直径的缩小量。由此，缓和位于通孔(253a)的区间(S1)的端部的边缘的角度θ1，因此，可提高通孔导体(253)的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN103781278B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201310487287.0
申请日：2013-10-17
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 露谷和俊
IPC: H05K1/18
CPC classification number: H05K1/185 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2924/15313 , H05K1/115 , H05K3/30 , H05K3/42 , H05K2201/09727 , H05K2201/09854 , H05K2203/1469 , Y10T29/49146
Abstract: 本发明提供了一种可以实现高性能化的电子部件内置基板。其具备具有基板配线层（121～123）的树脂基板（110）、以及埋入到树脂基板（110）的半导体IC（200）。树脂基板（110）具有使设置在半导体IC（200）的多个外部电极（230）露出的多个通孔（143a）、以及埋入到多个通孔（143a）内并将基板配线层（123）与外部电极（130）连接的多个贯通导体（143）。多个通孔（143a）的至少一部分具有彼此不同的形状或尺寸。根据本发明，可以使例如规定的贯通导体（143）低电阻化，因而可以提供更高性能的电子部件内置基板。
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