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公开(公告)号：CN114902028B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202180007836.2
申请日：2021-02-15
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01L9/04
Abstract: 本发明提供一种在层叠方向上具有多个检测部而且检测精度提高的压力传感器。本发明的压力传感器(10)具有：膜(22)，其产生与压力对应的变形；第一测量层(40)，其形成在膜(22)上；中间绝缘层(50)，其形成在第一测量层(40)之上；以及第二测量层(60)，其形成在中间绝缘层(50)之上。第一测量层(40)及第二测量层(60)分别包括检测膜的变形的第一检测部(42)及第二检测部(62)。从膜(22)的表面至第二检测部(62)的距离在30μm以内。
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公开(公告)号：CN117848200A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311275692.6
申请日：2023-09-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种维持比较高的k‑因子且TCR的控制容易的应变电阻膜和具有该电阻膜的物理量传感器。所述应变电阻膜是具有由式Cr100‑x‑y‑zAlxNyOz表示的组成的应变电阻膜。满足5≤x≤50、0.1≤y≤20、0.1≤z≤17、及y+z≤25的关系。
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公开(公告)号：CN1881639A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610058368.9
申请日：2006-03-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/22 , H01L41/083
Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。
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公开(公告)号：CN113574356A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080019007.1
申请日：2020-03-06
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01L19/00
Abstract: 本发明的压力传感器防止使管座和检测电路绝缘的绝缘膜的膜剥落或裂纹的问题。压力传感器具有：管座，其具有平面状的外底面、沿相对于所述外底面交叉的方向延伸的外侧面、以及为所述外底面的相反面并且受到来自作为测定对象的流体的压力的受压内面；以及检测电路，其相对于所述外底面隔着绝缘膜设置，所述管座具有：平缓部，以包围所述外底面的方式形成，从平行于所述外底面的方向观察，由朝向与所述外底面及所述外侧面不同的方向的面构成，并且连接所述外底面和所述外侧面，所述绝缘膜覆盖所述平缓部的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101853916A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010155013.8
申请日：2010-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01C19/5607 , H01L41/0815 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明的技术问题是提供具有在无应力状态下能够对压电体膜进行成膜的压电体元件和陀螺仪传感器。压电体膜包含a轴取向晶体和c轴取向晶体，a轴取向晶体的晶格常数和c轴取向晶体的晶格常数之差为0.06以内。本发明人新发现了：在满足a轴取向晶体的晶格常数和c轴取向晶体的晶格常数之差为0.06以内的条件的时候，能够将压电特性维持在良好的特性值，并且能够减少积蓄在压电体膜内部的应力。可以认为：在满足上述条件的情况下，由于对c轴取向晶体和a轴取向晶体作适度平衡，因而压电体膜的晶体颗粒在理想的状态下被最密地填充于基底上，这有助于应力的降低。
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公开(公告)号：CN117980711A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280064637.X
申请日：2022-06-17
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种温度敏感应变敏感复合传感器，其中，具有：应变敏感电阻膜，其以通式Cr(100‑x‑y)AlxNy表示，x、y各自的组成区域为5＜x≤50、0.1≤y≤20；和温度敏感电阻膜，其在‑50℃以上450℃以下的温度范围内的电阻温度系数(TCR)的绝对值为2000ppm/℃以上。
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公开(公告)号：CN114902028A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202180007836.2
申请日：2021-02-15
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01L9/04
Abstract: 本发明提供一种在层叠方向上具有多个检测部而且检测精度提高的压力传感器。本发明的压力传感器(10)具有：膜(22)，其产生与压力对应的变形；第一测量层(40)，其形成在膜(22)上；中间绝缘层(50)，其形成在第一测量层(40)之上；以及第二测量层(60)，其形成在中间绝缘层(50)之上。第一测量层(40)及第二测量层(60)分别包括检测膜的变形的第一检测部(42)及第二检测部(62)。从膜(22)的表面至第二检测部(62)的距离在30μm以内。
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公开(公告)号：CN110431393A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880019383.3
申请日：2018-03-06
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供能够从管外准确地检测通过管内的流体的压力变化的流体压力检测装置。检测通过管内的流体的压力的装置包括：基材(10)；设置于基材(10)的上表面的压电元件(20)；以包围压电元件(20)的方式为环状且支承基材(10)的上表面的支承体(30)；和以封闭支承体(30)的上部开口的方式设置的盖体(40)，经由支承体(30)按压基材(10)，用基材(10)的下表面使管变形。
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公开(公告)号：CN100495754C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610058368.9
申请日：2006-03-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/22 , H01L41/083
Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。
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