公开(公告)号：CN101416291B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200780011696.6

申请日：2007-02-06

Applicant: TEL埃皮恩公司

Inventor： A·J·勒恩 ,  S·R·舍曼 ,  R·M·格夫肯 ,  J·J·豪塔拉

IPC: H01L21/425

CPC classification number: H01L21/76825 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/513 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886

Abstract: 在铜互连布线层上遮盖一层或多层，以用于集成电路的互连结构，以及通过应用气体团簇离子束处理来形成用于集成电路的改进集成互连、结构的方法和装置。铜扩散减小且提高了电迁移寿命，并避免了选择性金属遮盖技术的使用以及该技术所伴随产生的问题。公开了包括用于铜遮盖、清洗、蚀刻以及膜成形步骤的气体团簇离子束处理模块的多种集簇设备配置。

公开(公告)号：CN101416291A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780011696.6

申请日：2007-02-06

Applicant: TEL埃皮恩公司

Inventor： A·J·勒恩 ,  S·R·舍曼 ,  R·M·格夫肯 ,  J·J·豪塔拉

IPC: H01L21/425

CPC classification number: H01L21/76825 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/513 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886

Abstract: 在铜互连布线层上遮盖一层或多层，以用于集成电路的互连结构，以及通过应用气体团簇离子束处理来形成用于集成电路的改进集成互连、结构的方法和装置。铜扩散减小且提高了电迁移寿命，并避免了选择性金属遮盖技术的使用以及该技术所伴随产生的问题。公开了包括用于铜遮盖、清洗、蚀刻以及膜成形步骤的气体团簇离子束处理模块的多种集簇设备配置。