公开(公告)号：CN106687817A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580045232.1

申请日：2015-08-05

Applicant: ams国际有限公司

Inventor： 约瑟夫·托马斯·马丁努斯·万贝克 ,  卡斯珀·万德尔阿武特

IPC: G01R33/028 ,  G01R33/038

CPC classification number: G01R33/0286 ,  G01C17/28 ,  G01R33/0283 ,  G01R33/038

Abstract: 各种示例性实施例涉及用于测量振荡频率的磁强计装置，该磁强计装置包括：包括连接至金属膜的第一输入的电压偏置和放大器的馈通环路；连接至膜输出的膜接地部；包括连接至放大器的第二输入的第一固定板输出的固定板，其中固定板与金属膜物理分离但是通过洛伦兹力连接至金属膜，以及其中物理分离由于磁场相对于电流的方向的角度而不同；对洛伦兹力敏感的第二固定板输出；以及电路，该电路连接至第二固定板输出以基于洛伦兹力而计算磁力的角度。

公开(公告)号：CN106794981B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201580041645.2

申请日：2015-07-24

Applicant: ams国际有限公司

Inventor： 威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林 ,  雷莫科·亨里卡斯·威廉默斯·皮嫩伯格 ,  卡斯珀·万德尔阿武特 ,  马滕·奥尔德森 ,  马丁·古森斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/014 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/0073 ,  G01L9/12 ,  H01L29/84

Abstract: 一种用于形成悬置膜的方法的实施方式包括在牺牲层上方和边界沟槽内沉积第一导电材料。第一导电材料在边界沟槽上方形成角过渡部。该方法还包括去除第一导电材料的一部分，所述去除将第一导电材料的不平坦形貌的至少一部分去除。该方法还包括沉积第二导电材料。第二导电材料延伸到边界沟槽之外。该方法还包括通过蚀刻开口去除牺牲层并且在第二导电材料下方形成腔。第一导电材料限定腔的侧壁边界的一部分。

公开(公告)号：CN106687817B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201580045232.1

申请日：2015-08-05

Applicant: ams国际有限公司

Inventor： 约瑟夫·托马斯·马丁努斯·万贝克 ,  卡斯珀·万德尔阿武特

IPC: G01R33/028 ,  G01R33/038

CPC classification number: G01R33/0286 ,  G01C17/28 ,  G01R33/0283 ,  G01R33/038

Abstract: 各种示例性实施例涉及用于测量振荡频率的磁强计装置，该磁强计装置包括：包括连接至金属膜的第一输入的电压偏置和放大器的馈通环路；连接至膜输出的膜接地部；包括连接至放大器的第二输入的第一固定板输出的固定板，其中固定板与金属膜物理分离但是通过洛伦兹力连接至金属膜，以及其中物理分离由于磁场相对于电流的方向的角度而不同；对洛伦兹力敏感的第二固定板输出；以及电路，该电路连接至第二固定板输出以基于洛伦兹力而计算磁力的角度。

公开(公告)号：CN106794981A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580041645.2

申请日：2015-07-24

Applicant: ams国际有限公司

Inventor： 威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林 ,  雷莫科·亨里卡斯·威廉默斯·皮嫩伯格 ,  卡斯珀·万德尔阿武特 ,  马滕·奥尔德森 ,  马丁·古森斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/014 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/0073 ,  G01L9/12 ,  H01L29/84

Abstract: 一种用于形成悬置膜的方法的实施方式包括在牺牲层上方和边界沟槽内沉积第一导电材料。第一导电材料在边界沟槽上方形成角过渡部。该方法还包括去除第一导电材料的一部分，所述去除将第一导电材料的不平坦形貌的至少一部分去除。该方法还包括沉积第二导电材料。第二导电材料延伸到边界沟槽之外。该方法还包括通过蚀刻开口去除牺牲层并且在第二导电材料下方形成腔。第一导电材料限定腔的侧壁边界的一部分。