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公开(公告)号：CN110190376B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910450265.4
申请日：2019-05-28
Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种天线结合液冷散热结构的射频系统级封装模块，包括基板、底座、天线结构和射频模组；基板上表面设置天线结构，且在连接天线结构的两端设置金属柱，基板下表面与底座上表面键合，底座上表面设置液冷微通道孔和液冷微通道凹槽，液冷微通道孔和液冷微通道凹槽整体呈倒凹形；底座下表面与射频模组焊接；本发明提供了焊接在天线上的射频模块可以完成信号互联，大大减少制作封装的流程，节约成本，且保证了天线水平面的一致性的一种天线结合液冷散热结构的射频系统级封装模块及其制作方法。
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公开(公告)号：CN111740204A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010822430.7
申请日：2020-08-17
Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种腔体谐振抑制结构及应用。所述腔体谐振抑制结构用于抑制三维异构集成射频结构的腔体谐振；所述三维异构集成射频结构包括内嵌有射频芯片的下层转接板、与所述下层转接板对位键合的上层转接板和设置在所述射频芯片上的片上传输线；所述上层转接板在与所述射频芯片相对应的位置设置有空气腔；所述腔体谐振抑制结构包括依次设置在所述上层转接板的空气腔底部的电阻薄膜和谐振环族。本发明的所述腔体谐振抑制结构实现了硅转接板内嵌大尺寸多通道单片集成射频芯片结构的腔体谐振抑制，以及空气腔内嵌射频芯片的超宽带匹配和低插损传输，显著改善了相控阵幅相控制精度、带内幅度平坦度和带内相位线性度受腔体谐振的影响。
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公开(公告)号：CN111099554A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911197944.1
申请日：2019-11-29
Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司
IPC: B81C1/00 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法，具体包括如下步骤：101)初步刻蚀步骤、102)刻蚀深硅空腔步骤、103)加深刻蚀步骤、104)成型步骤；本发明提供了可以有力的提高结构精度，提高生产效率，减小工艺难度的一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法。
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公开(公告)号：CN110739231A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910905485.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/768 , H01L25/16 , G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠射频光模块制作方法，具体包括如下步骤：101)射频转接板制作步骤、102)散热转接板制作步骤、103)多层键合步骤、104)封盖转接板制作步骤、105)芯片联通步骤、106)模组键合步骤；本发明通过多层堆叠工艺把面积较大的芯片上下放置，通过TSV工艺把芯片的电信号引出，然后在模组的顶部设置光电芯片，把射频信号通过光信号的方式传出或者接入，这样可以大大增加光模块的集成度的一种三维堆叠射频光模块制作方法。
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公开(公告)号：CN110729273A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910905501.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种芯片嵌入式三维异构互联结构及其制作方法，载板上设置芯片安置槽、TSV孔，TSV孔内覆盖导电金属，TSV孔下方设置连接金属；连接金属使设置在芯片安置槽内的射频芯片与TSV孔上的导电金属联通；射频芯片表面的PAD与载板上表面上的RDL联通；本发明提供具有简化工艺难度，接地电路设计简单的一种芯片嵌入式三维异构互联结构及其制作方法。
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公开(公告)号：CN110010567A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811650212.9
申请日：2018-12-31
Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种大功率系统级射频模块的液冷散热互联结构及其制作方法，包括固定转接板、底座转接板，固定转接板和底座转接板键合；固定转接板上设置凹槽和微流槽，凹槽和微流槽互通，凹槽深度大于微流槽，凹槽宽度小于微流槽；底座转接板上设置进液孔、出液孔和固定槽，进液孔、出液孔尺寸相同，固定槽设置在进液孔和出液孔之间；固定槽的深度小于等于进液孔、出液孔；本发明提供可以安插射频模块的结构，完成射频模块和液相散热结构互联的一种大功率系统级射频模块的液冷散热互联结构及其制作方法。
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公开(公告)号：CN108270453A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810290214.5
申请日：2018-04-03
Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司
CPC classification number: H04B1/0057 , H04B1/006 , H04B1/401
Abstract: 本发明提出了一种单天线并行收发的射频前端架构，包括信号放大模块、滤波器、开关模块、控制器和天线；信号放大模块通过滤波器与开关模块相连，开关模块的另一端与天线相连，控制器与信号放大模块和开关模块相连并进行控制；信号放大模块包括两个功率放大器电路和两个低噪声放大器电路；开关模块包括两个单刀双掷射频开关，一个双刀四掷射频开关，一个单刀三掷射频开关和一个宽带功分器。本发明将宽带功分器应用于开关模块内，结合射频开关的切换功能，配合单个天线，不仅可以实现单路信号的收发，也能实现两路信号并行收发，提升了系统电路的集成度，减少了天线的数量。宽带功分器的引入提高了两个并行通道的隔离度，增强了前端系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN108083223A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201810034938.3
申请日：2018-01-15
Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司
CPC classification number: B81B7/0032 , B81C1/00349
Abstract: 本发明公开了一种硅基三维异构集成的射频微系统及其制造方法，本发明中的系统包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层、第四硅衬底层、射频功放芯片、射频低噪放芯片、射频滤波器和射频开关，硅衬底层均为高阻硅晶圆，射频芯片和器件为采用不同衬底材料不同工艺制成；其中，把射频芯片和器件微组装在第一硅衬底层、第三硅衬底层内预先蚀刻好的腔体中，且第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层和第四硅衬底层做低温晶圆级键合堆叠在一起，并通过硅通孔垂直互连，形成三维异构集成的射频微系统。本发明将异构射频芯片和器件进行三维集成，从而减小射频系统的体积，提高射频系统的封装密度，降低互连线的传输损耗，增强射频系统的性能。
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