-
公开(公告)号：CN101471212B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710125661.7
申请日：2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/13
CPC classification number: H01J1/14 , H01J2201/19 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种热发射电子器件，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格，且行电极引线与列电极引线之间电绝缘；多个热电子发射单元，每个热电子发射单元对应一个网格设置，每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体，该第一电极与第二电极间隔设置于每个网格中，并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接，所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接，所述热电子发射体为至少一根碳纳米管长线。
-
公开(公告)号：CN101471212A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710125661.7
申请日：2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/13
CPC classification number: H01J1/14 , H01J2201/19 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种热发射电子器件，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格，且行电极引线与列电极引线之间电绝缘；多个热电子发射单元，每个热电子发射单元对应一个网格设置，每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体，该第一电极与第二电极间隔设置于每个网格中，并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接，所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接，所述热电子发射体为至少一根碳纳米管长线。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103189958B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180053479.X
申请日：2011-10-28
Applicant: 欧司朗股份有限公司
Inventor： 沃尔夫冈·塞茨
IPC: H01J61/073 , H01J1/20 , H01J9/04
CPC classification number: H01J9/042 , H01J1/20 , H01J9/04 , H01J61/0732 , H01J2201/19 , H01J2209/02
Abstract: 本发明涉及一种用于制造高压放电灯（10）的电极（16）的方法，包括下面的步骤：a）优选借助激光束扫略电极表面的至少一部分，以用于生成氧化层（步骤120）；b）至少部分地升华在步骤a）中产生的氧化层（步骤120）；并且c）还原剩余的氧化层（140）。本发明还涉及一种具有如此制造的至少一个电极的高压放电灯（10）。
-
公开(公告)号：CN103189958A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180053479.X
申请日：2011-10-28
Applicant: 欧司朗股份有限公司
Inventor： 沃尔夫冈·塞茨
IPC: H01J61/073 , H01J1/20 , H01J9/04
CPC classification number: H01J9/042 , H01J1/20 , H01J9/04 , H01J61/0732 , H01J2201/19 , H01J2209/02
Abstract: 本发明涉及一种用于制造高压放电灯（10）的电极（16）的方法，包括下面的步骤：a）优选借助激光束扫略电极表面的至少一部分，以用于生成氧化层（步骤120）；b）至少部分地升华在步骤a）中产生的氧化层（步骤120）；并且c）还原剩余的氧化层（140）。本发明还涉及一种具有如此制造的至少一个电极的高压放电灯（10）。
-
公开(公告)号：CN109065420A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810900938.7
申请日：2018-08-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
CPC classification number: H01J1/13 , H01J9/04 , H01J2201/19
Abstract: 本发明公开一种具有三维结构表面的热阴极及其制备方法，属于真空元器件技术领域。所述热阴极包括浸渍铝酸盐的多孔钨基和形成于多孔钨基表面的贵重金属薄膜，所述多孔钨基的发射表面开槽形成规则排列的凹陷结构。本发明还公开了该热阴极的制备方法。本发明提供的热阴极可增加阴极电子发射面的有效面积，从而显著提高阴极的电流发射强度，为真空微波器件的理想电子源。
-
公开(公告)号：CN1949449B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510100365.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 北京富纳特创新科技有限公司 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一电子发射体，其包括一维纳米结构；一相对于该电子发射体设置的阳极；一第一电源，用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场；及一第二电源，用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压，可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流；此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质，可获取稳定性较佳的发射电流；另一方面，该加热电压较低，发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
-
公开(公告)号：CN1949449A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200510100365.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一电子发射体，其包括一维纳米结构；一相对于该电子发射体设置的阳极；一第一电源，用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场；及一第二电源，用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压，可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流；此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质，可获取稳定性较佳的发射电流；另一方面，该加热电压较低，发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.011 seconds)
